气体中微量水份的测定—露点法和氧化铝电容法

前言在半导体材料及电子器件生产中,要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体,气体纯度严重影响产品质量。如氢、氮等气体及其流经的系统中的水份和氧,对硅及Ⅲ-V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中,氢中水份达100vpm时,硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中,若稀释气体中含有微量水份,使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”,从而在刻蚀多晶硅薄膜时,造成多晶硅脱落,致使电学性能变坏。由上可知,对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。     

湿度传感器的新进展

一、攻关中心:提高稳定性与可靠性近两年来,国内国外,在湿度传感器的应用方面,因受传感器的长期稳定性差和可靠性低的制约而无明显进展;但在湿度传感器的研究方面恰有长足进步,出现了可喜的势头。由于长期稳定性、可靠性是多年来阻碍湿度传感器实际应用和进一步发展的主要障碍,因此国内外的研究工作主要围绕这一主题而展开,即:研究各类湿度传感器的漂移机理、改善和提高湿度传感器的稳定性和可靠性、寻求新的高精度、高可靠、长寿命湿度传感器及相应的湿敏材料。二、高分子薄膜电容型湿度传感器的漂移机理高分子薄膜电容型湿度传感器自问世以来,素以响应快、温度系数小、中低湿区响应     

Si—MOS湿度传感器在微电子工业和制茶工业在线检测中的应用

<正> 一、Si—MOS湿度传感器及其二次仪表 Si—MOS湿度传感器系上海市“六五”攻关项目,由中科院上海冶金所研制成功。该传感器在本质上是一个以低阻单晶硅衬底和多孔Au膜为上、下电极,以多孔Al_2O_3为湿敏介质的MOS电容结构     

氧化铝湿度计的校准—动态校准法

氧化铝湿度计测定气体中水份是一个相对方法,需用标准方法进行校准.我们拟制了动态校准法.该方法解决了零点气体的获得;湿度的连续变化;湿度的绝对测量三个问题.本校准装置的校准范围为0.001～100PPmvH_2O(相当于-110℃～-20℃露点).调校后的校准曲线是一条近于45°的直线.经校准的氧化铝湿度计与多种测湿器进行对照测定,所得结果一致.这表明动态校准法和氧化铝湿度计的测定结果都是准确可靠的.对校准过程中应注意的问题进行了讨论.由误差分析估计出动态校准法的准确度可控制在±2℃露点以内.这与目前国外同类仪器的准确度基本相同.     

Si-MOS湿度传感器及CH-湿度仪

该传感器系以低阻单晶Si为衬底(兼下电极)、透水Au膜为上电极、多孔Al2O3为介质的MOS电容结构。外界气相中的水分子透过Au膜上电极，为Al2O3，孔壁所吸附，并与外界水分压达成动态吸-脱附平衡，传感器就有稳定的电容值。     

湿度和湿度传感器

湿度传感器是最重要的、应用最广泛、最普及的化学传感器之一,其品种之繁多、应用之广泛,为其它化学传感器所不及。几乎国民经济的所有领域,人类生活的各个方面都需要应用湿度传感器对湿度进行检测和控制。科技的发展,除了继续需要各种可靠、廉价、使用方便的通用湿度传感器以外,还需要有能满足各个工业部门特殊需要的各种新型湿度传感器。本文将就各种常见的湿度传感器作一简要的归纳和介绍。     

Al_2O_3湿敏元件的机理与动力学

本期刊1984年第二期,曾概要地介绍了Al_2O_3湿敏元件的发展历史、制作工艺、诸项有关的性能和定量校正的方法。本文将对A1_2O_3湿敏元件的湿敏机理和测湿动力学作一简要的说明,以期对A1_2O_3湿敏元件有一个比较完整的描述。我们已经知道,在Al_2O_3湿敏元件测湿时,外界气相湿度的变化,都会引起元件湿敏介质层中吸(附)水