气体中微量水份的测定—露点法和氧化铝电容法 |
| |
引用本文: | 黎修祺,骆如枋,毛平天.气体中微量水份的测定—露点法和氧化铝电容法[J].低温与特气,1986(4). |
| |
作者姓名: | 黎修祺 骆如枋 毛平天 |
| |
作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所 |
| |
摘 要: | 前言在半导体材料及电子器件生产中,要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体,气体纯度严重影响产品质量。如氢、氮等气体及其流经的系统中的水份和氧,对硅及Ⅲ-V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中,氢中水份达100vpm时,硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中,若稀释气体中含有微量水份,使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”,从而在刻蚀多晶硅薄膜时,造成多晶硅脱落,致使电学性能变坏。由上可知,对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|