ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。     

碳、碳化硅及氮化硅等纳米功能材料的制备

以金属为还原剂，有机溶剂或碳酸盐为碳源，我们制得种种碳纳米结构，纳米管、纳米空心球、空心锥体、珊瑚状空心结构纳米笼、纳米带、纳米棒和纳米纤维等．此外，还制备了一些碳和Fe304或Fe的复合材料，并进一步用酸洗掉Fc304或Fe后得到了相应的碳空心结构。我们在低于传统高温反应的温度下，制备了3C-SiC纳米晶、纳米线、纳米带、纳米空心球、一维有序结构多种纳米结构和SiC／C复合材料等，以及六方相SiC（2H-SiC）片状纳米颗粒。我们也在低于传统高温反应的温度下，制得了α和β相的多种形貌的Si3N4晶体，最近已将反应温度降至200℃。在BN的合成方面，制备了六方相BN纳米管和纳米笼，六方和立方混合相的BN纳米晶须，最近我们在催化剂存在的情况下合成了三角形三方相的BN晶体。     

Ba-Nd-Gu-O体系超导电性和相组成

本文报道了Ba-Nd-Cu-O体系中,样品组成热处理条件对其相组成和超导电性的影响。制得一系列液氮温区超导体,最高Tc(ρ=0)为84.5K。通过对其物相组成和超导电性关系研究,表明Ba_2NdCu_3O_■为该体系的高温超导相。     

厚膜气体传感器的研究

本文报导采用典型的微电子学工艺一丝网漏印法制备以SnO_2为基的厚膜气体传感器。研究了不同掺杂剂和玻璃料对厚膜气敏材料性能的影响,结果显示ZrO_2掺杂有助于提高厚膜气体传感器对一氧化碳和乙醇的选择性,而且气体传感元件的厚膜工艺设备筒单,便于生产。     

热变色胆甾相液晶的制备及微囊化技术的研究

通过降低胆甾相混合液晶配方中胆甾烯基油烯基碳酸酯的含是及适当改变胆甾烯基氯的含量,获得了１０℃－５０℃范围内,变色温度梯度为１℃,变色范围从蓝色→绿色→红色的一系列胆甾相混合液晶。     

二氧化碳逆转变成金刚石-一个源于1792年的故事

日前召开的中国硅酸盐学会2003年学术年会,不仅是学会历史上规模最大的一次盛会,而且与会专家之多,提交的论文质量之高,也是我国硅酸盐学界近年来所罕见的。这次大会在我国科技界,工程界引起了强烈的反响,影响所及已不仅限于建材行业。尤其是大会特邀的张人为会长、严东生院士等专家所作的精彩报告,将对我国建材工业现代化进程产生深远的影响。为展示大会风采,本刊特将大会的特邀报告摘要汇编转载,以表达我们对大会的祝贺。     

氢氩混合气还原复合氧化物制备合金微粉SCIEI

用15％H_2/85％Ar还原金属复合氧化物制备了 CuRh,γ-Ni_(0.33)Fe_(0.66)和α-Fe_(0.66) Co_(0.33)的合金微粉.由复合氧化物还原的TGA曲线得出还原法制备合金的温度下限.从X射线粉末衍射图的半峰宽可估算出三种微粉的粒度均小于35nm.     

Li—Cu—Ti—O体系复合氧化物的合成及电性研究

本文报道了Li-Cu-Ti-O体系的物相分析及其电学性质。于293K测得CuO式量数为0～0.1的样品的电阻率在绝缘体范围;CuO式量数为0.1～1.6的样品的电阻率在半导体范围;CuO式量数为1.6～2.0的样品的电阻率在金属范围。但在低温下CuO式量数为1.6～2.0的样品烧结温度为950℃时得到的曲线呈半导体性质。在空气中烧结得到了LiCu_(0.5)Ti_(1.5)O_4尖晶石单相。     

氢氩混合气还原制备四氧化三铁微粉

Fe_3O_4是重要的铁氧体材料。传统的制备方法是在CO/CO_2混合气中,于600℃以上还原a-Fe_2O_3。此时,由于反应温度较高,制得的多晶颗粒较大。用氢气还原α-Fe_2O_3制备Fe_3O_4也有报导,但其反应进程不易控制,而且产物中会有α-Fe_2O_3或铁。制备Fe_3O_4的另一个方法是湿法,在70℃-90℃的水溶液中,在NaNO_3存在下进行反应:     

纳米ZnFe2O4气敏材料的结构和敏感特性研究

ZnFeO4是传统的铁氧体材料，近年来又发现具有良好的气敏性能。本文采用化学共沉淀法制备了纳米的ZnFeO4粉末，利用XRD，XPS，SEM等手段研究了结构特性。以ZnFeO4纳米粉末为原料制轩了厚膜气敏元件，测试了元件的气敏性能，并对气敏机理给予了解释。