ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。     

A GaAs/GalnP dual junction solar cell grown by molecular beam epitaxy

We report the recent result of GaAs/GalnP dual-junction solar cells grown by all solid-state molecularbeam-epitaxy （MBE）. The device structure consists of a GaIn0.4sP homojunction grown epitaxially upon a GaAs homojunction, with an interconnected GaAs tunnel junction. A photovoltaic conversion efficiency of 27% under the AM1.5 globe light intensity is realized for a GaAs/GaInP dual-junction solar cell, while the efficiencies of 26% and 16.6% are reached for a GaAs bottom cell and a GaInP top cell, respectively. The energy loss mechanism of our GaAs/GalnP tandem dual-junction solar cells is discussed. It is demonstrated that the MBE-grown phosphide-containing Ⅲ-V compound semiconductor solar cell is very promising for achieving high energy conversion efficiency.     

高对比度、高均匀性材料GaAs/AlGaAs多量子阱空间光调制器

本文报道了GaAs/AlGaAs 多量子阱空间光调制器的最新研究进展。使用MBE生长了3英寸材料,其横向均匀性好于0.1%, 法布里-珀罗腔谐振波长变化小于0.9nm。利用调节层腐蚀进行调节以后,在6.7V调制电压下实现了102的对比度。理论和实验均表明,调节层腐蚀能够在在宽范围内调节平衡条件,从而实现多量子阱空间光调制器的高对比度。     

纳米ZnFe2O4气敏材料的结构和敏感特性研究

ZnFeO4是传统的铁氧体材料，近年来又发现具有良好的气敏性能。本文采用化学共沉淀法制备了纳米的ZnFeO4粉末，利用XRD，XPS，SEM等手段研究了结构特性。以ZnFeO4纳米粉末为原料制轩了厚膜气敏元件，测试了元件的气敏性能，并对气敏机理给予了解释。     

智能凝胶材料研究和开发现状

本文介绍了国外智能凝胶材料的研究、开发及应用现状。对国内智能凝胶材料的研究有一定的指导意义。     

Indium bump array fabrication on small CMOS circuit for flip-chip bonding

We demonstrate a novel method for indium bump fabrication on a small CMOS circuit chip that is to be flip-chip bonded with a GaAs/AlGaAs multiple quantum well spatial light modulator.A chip holder with a via hole is used to coat the photoresist for indium bump lift-off.The 1000μm-wide photoresist edge bead around the circuit chip can be reduced to less than 500μm,which ensures the integrity of the indium bump array.64×64 indium arrays with 20μm-high,30μm-diameter bumps are successfully formed on a 5×6.5 mm~2 CMOS chip.     

小片CMOS驱动电路的倒装焊In柱阵列沉积

本文研究了在用于GaAs/AlGaAs多量子阱空间光调制器驱动电路小片芯片上进行In柱阵列沉积的方法。使用了带有中央通孔的甩胶套进行甩胶,可以将驱动电路小片上1000um宽的胶边减小至500um,有效保证了沉积In柱阵列的完整性。使用此方法,64x64,20um高,30um直径的In柱阵列能够完整沉积在5mmx6.5mm的CMOS驱动电路上。     

GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱

研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光(PL)谱以及光调制反射(PR)谱.发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系,而是呈现出反常的S型温度依赖关系.进一步测量,特别是在较低的激发光功率密度下,发现有两个不同来源的发光峰,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光.随温度变化,这两个发光峰相对强度发生变化,造成主峰(最强的峰)的位置发生切换,从而导致表观上的S型温度依赖关系.采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系.     

一种基于时间窗口的关系数据库中挖掘序贯模式的算法

序贯模式是数据挖掘领域的重要研究课题之一.鉴于目前国内外在此方面的研究主要是集中在对交易数据的分析处理上,而从数据挖掘本身的角度考虑,交易数据库与常用的关系数据库两者之间却存在着很大的差异,这就要求新的挖掘算法与之相适应.本文针对如何从一般关系数据库中进行序贯模式的知识发现问题做了初步的研究和探讨,并在此基础上形成了一种基于时间窗口的序贯模式挖掘算法TW_SP.     

离子聚合物人工肌肉材料应用研究进展

由于智能聚合物材料可以对多种物理量（如温度、 pH、离子强度、溶剂、压力、应力、光强、电场和磁场等等）的刺激发生响应,并在各种刺激下会产生较大的形变,因此可将智能聚合物材料用于仿生执行器,它是良好的人工肌肉材料。在本文中,着重介绍了这一领域的一些新的研究方向和研究结果,讨论了智能聚合物材料的特性及其实际应用,同时还介绍了人工肌肉的低温特性与在外空间环境下的潜在用途。