氧化亚铜基金属陶瓷导电性的试验研究

研究了ｗ（Ｃｕ）为４４％时Ｃｕ２Ｏ－Ｃｕ金属陶瓷电导纺σ的变化规律，所得定性和定量的结果均符合导通理论。当铜的体积份数达０．１５－０．１７时，σ值发生了５－７个数量级的跃迁，导电特征也由半导体型转化为金属导电，从而证明由铜粒子构成了无限导通带所致。     

铜—金刚石复合体大气氧化动力学研究

ｗ（Ｃｄ）１．０％对铜基材料氧化膜的生长具有明显的抑制作用ｗ（Ｌａ）０．１％对铜基材料的抗氧化性能的提高也起到积极的促进作用，金刚石的加入急剧了铜基材料氧化膜的生长速度，Ｃｕ－Ｃ－Ｃｄ系材料的氧化膜生长规律不遵循抛物线定律，而呈立方规律生长，实际条件下氧化膜的生长规律是复杂性。     

Cu2O-CuAlO2-Cu基金属陶瓷导电性能研究

通过热压技术制备Cu2O-10CuAlO2-xCu金属陶瓷材料，并对其导电性能进行了研究。结果表明，Cu2O-10CuAlO2-xCu在Cu含量超过15wt．％后呈金属导电性。材料的微观结构观察及物理性能测试表明，金属陶瓷材料的电导率不仅取决于材料的金属相含量，还取决于金属相颗粒尺寸和孔隙率的大小。材料中金属相的颗粒尺寸取决于热压工艺参数，随着热压温度的升高而增大，但随热压压力的升高而减小。     

电接触强化课程介绍

电接触强化课程是由IEEE CPMT技术协会和IEEEHolm电接触会议委员会共同组织的一个关于电接触理论和应用的专题技术培训,从1971年创办至今已举办30多次。课程主要为电气和电子工程领域的设计和研究人员提供电接触方面的基础理论知识和分析解决实际问题的方法。本文介绍了该课程的主要内容,课程特点和现任授课教师的学术背景等相关资料。     

CP-Nb-Cr/Cu-Cd电触头材料的组织结构与使用性能研究

通过粉末冶金方法制备了一种新型的铜基电触头材料--CP-Nb-Cr/Cu-Cd--并对该材料在中等强度电流条件下的使用性能进行了研究.结果表明,该电触头材料基本满足63～250A电流范围内交流接触器对电接触性能的综合要求.试后组织结构的观察表明,在电弧作用条件下,CP-Nb-Cr/Cu-Cd电触头表面存在大量的裂纹并且形成了一层和基体结构不同的工作层.裂纹在电触头表面和连通、扩展和向材料内部侵入的过程对电触头的使用状态起到决定作用.     

Cu2O—Cu系金属陶瓷制备工艺研究

研究了以氧化亚铜为基,添加以金属铜作为导电组元的金属陶瓷的制备工艺,随着压制压力的增加和烧结时间的延长,所制备材料的密度呈规律性地递增,合理的工艺参数为P≥300MPa,t=10h至20h,烧结粉末体中含w(Cu)达30％时,其密实化过程及动力学曲线与粉末材料的已知规律拟合得非常好。     

铜—金刚石电接触复合材料的导电性

本文通过对铜－金刚石系列电接触材料导电性的测量，分析了该体系材料中合金化元素和组元相－金刚石，铌和镉等含量对材料电阻率的影响，分析和测量结果表明，在所研究成分范围内，添加成分对铜基体的导体电性影响很小，材料电阻率均可以满足电器地材料性能的要求。     

前驱体伪共沉淀法制备CSs(纳米碳球)/Cu 触头材料及致密化工艺研究

通过前驱体伪共沉淀法制备出第二相均匀弥散分布的CSs(纳米碳球)/Cu触头材料,通过研究制备工艺以及第二相含量对CSs/Cu复合材料微观组织结构、机械物理性能及接触电阻的影响规律,为高性能铜基低压电器触头材料设计原则提供理论依据。     

Cp／CuCd电接触材料大气氧化动力学研究

１．０ｗｔ．％镉对铜基材料氧化膜的生长具有明显的抑制作用。０．１ｗｔ．％镧对铜基材料的抗氧化性能的提高也起到积极的促进作用。金刚石的加入急剧加速了Ｃｐ／ＣｕＣｄ材料氧化膜的生长速度。Ｃｐ／ＣｕＣｄ系材料的氧化膜生长规律不遵循抛物线定律，而呈立方规律生长。实际条件下氧化膜的生长规律是复杂的。