校企合作化学与材料专业工程创新训练平台的规划与建设

强化工程训练教学环节,是地方本科学校应用技术人才培养模式创新的核心内容。本文从指导思想、原则和目标、具体措施等方面进行阐述和探讨,论述了化学与材料专业工程创新训练平台规划与建设的内容和保证其正常运行的措施。     

反应温度对碳热还原法合成SiC-B4C复合粉末烧失率和物相组成的影响

以硼酸、硅溶胶、片状石墨为原料,采用碳热还原法制备SiC-B_4C复合粉末。研究了反应温度对SiC-B_4C复合粉末的烧失率和物相组成的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、激光粒度分析仪(LPSA)对实验样品的物相组成、粒度大小及其分布进行分析。结果表明:在反应温度达到1500℃以上时,采用碳热还原法可以成功合成出SiC-B_4C复合粉末。合成SiC-B_4C复合粉末的最适温度与硼酸用量有关。当硼酸用量为理论配比时,合成SiC-B_4C复合粉末的适宜反应温度为1500℃;当硼酸过量30%时,合成Si C-B_4C复合粉末的适宜反应温度为1550℃。当硼酸过量30%时,在1550°C下合成的SiC-B_4C复合粉末中位粒径为0.14μm。     

氧化锑/水滑石复合微粉的表面改性研究

采用共沉淀法制备氧化锑/水滑石复合阻燃微粉,用单硬脂酸甘油酯对其进行表面改性,研究了改性剂的用量、改性时间、改性温度对活化指数的影响。结果表明,最佳改性工艺条件为：改性剂用量4%,改性时间40min,改性温度60℃。单硬脂酸甘油酯对阻燃微粉的表面处理属于氢键吸附,表面处理效果理想,氧化锑/水滑石复合阻燃微粉的晶体结构并未因改性受到影响。     

碳热还原法合成TiC-SiC复合粉末及其生长机理

以硅溶胶、炭黑和TiO2为原料,采用碳热还原法合成TiC-SiC复合粉末.研究反应温度和TiO2添加量对合成TiC-SiC复合粉末的物相组成和显微形貌的影响;对反应过程进行热力学分析和计算,探讨TiC-SiC复合粉末的生长机理.结果表明:TiC-SiC复合粉末适宜的合成条件为在1 600℃保温1 h;在反应过程中,TiC先于SiC形成,TiC的形成抑制了SiC颗粒的生长;当复合粉末中TiC的含量(质量分数)为10%左右时,SiC的合成过程由气-固(V-S)机理反应转变为气-固机理和气-气机理共同反应;复合粉末主要由球状颗粒、短棒状颗粒以及少量晶须组成;随着复合粉末中TiC含量的增加,SiC晶须的生长受到抑制,其形貌逐步由长纤维状向短棒状和颗粒状过渡.     

氧化锑/水滑石复合阻燃微粉的制备及表征

采用水热法制备了氧化锑/水滑石复合阻燃微粉,用差示扫描量热法（DSC）对其热稳定性进行了分析,用SEM分析了粒子形貌,用XRD分析了粒子的晶体结构。XRD和SEM结果表明,氧化锑/水滑石复合粉体具备水滑石的典型层片状结构,在240℃以下可保持其层状结构,灼烧温度超过480℃时其层状结构被破坏。     

B643绒线合股机蜗轮箱受力结构的改进

目前,我国生产的编结绒线,其加捻设备普遍采用的是 B643型绒线合股机。该机性能优于 B641型合股机,它解决了大中小纱张力不一致的问题。因此, B643型合股机是目前我国生产编结绒线理想的捻线设备。 但是,在实际工作运转中,我们发现该机蜗轮箱易出现非正常的跳动或振动,造成钢领板升降顿挫,纱线断头率高,纱管有时成行冒头冒脚,致使设备运转率降低,产品质量下降,直接给生产造成了不良的影响。究其原因我们认为,以上现象是由于该机驱动钢领板升降的原受力结构不合理造成的。其原受力结构如图一所示:凸轮作顺时匀速转动,凸轮每转一周,钢领板则…     

微波辅助合成CuAlO_2纳米晶及其光学性能的研究

以硝酸铜为铜源、硝酸铝为铝源,以草酸为沉淀剂,采用微波辅助合成p型半导体CuAlO_2纳米晶。通过X射线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和激光粒度分析仪对其物相结构、化学性能、光学性质和粒径大小进行了表征分析,并对反应机理进行了讨论。研究了煅烧温度、原料配比等因素对产品结构的影响。结果表明:当Cu~(2+)和Al~(3+)摩尔比为1∶1,煅烧温度为1200℃时,样品为纯的CuAlO_2晶相,晶粒大小为41nm;样品含有与氢键缔合的OH基;其禁带宽度为4.53eV,与块体材料相比,发生了蓝移,其归因于晶粒减小而产生量子效应所致。     

碳热还原杂化前驱体合成SiC-TaC纳米复合粉体

以五氯化钽(TaCl5)、正硅酸乙酯(TEOS)和葡萄糖(C6H12O6 H2O)为原料制备了葡萄糖复合凝胶,凝胶经过450℃煅烧得到C-SiO2-Ta2O5杂化前驱体,通过碳热还原前驱体,于1200～1500℃合成了SiC-TaC纳米复合粉体,并用X射线衍射扫描电镜和能谱仪对产物进行表征。结果表明:凝胶中无定型的SiO2和Ta2O5可通过Si—O—Ta键合,均匀分布的Si—O—Ta—C长链使得杂化前驱体内部结合成为牢固的互穿网络结构;TaC于1200℃时得到,而SiC可在1400℃开始合成,反应可在1500℃完成。在不同的钽硅摩尔比下,SiC-TaC纳米复合粉体具有差异性形貌。当钽硅比约为0.02时,SiC与TaC纳米晶粒颗粒分布均匀,同质化明显。随着钽硅比的升高,SiC有从球状转变为纳米线状的趋势。     

SiC粉末制备技术及其烧结助剂的研究进展

碳化硅(SiC)陶瓷由于具有高温强度高、高温抗氧化能力强、热导率高、化学稳定性好等一系列优异性能,在机械、化工、能源和军工等领域得到广泛应用.本文综述了SiC粉末的各种制备技术的最新研究进展以及烧结助剂的应用现状,阐述了各种方法的特点、基本原理及研究进展,并对几类烧结助剂体系进行了比较.最后展望了各类制备技术今后的研究方向,指出了AlN-Re2O3体系添加剂的优势所在.