SiO2负载铬基催化剂催化四氢萘合成α-四氢萘酮

以硝酸铬或重铬酸钾为Cr源,采用浸渍法制备了SiO₂负载的Cr基催化剂［Cr(Ⅲ)/SiO₂和Cr(Ⅵ)/SiO₂］,并用共浸渍法制备了K₂O改性的Cr(Ⅲ)/SiO₂催化剂［K-Cr(Ⅲ)/SiO₂］。分别以叔丁基过氧化氢和O₂作氧化剂,考察了三种催化剂催化四氢萘合成α-四氢萘酮的反应性能。结果表明,以叔丁基过氧化氢作氧化剂时,Cr(Ⅲ)/SiO₂表现出最高的反应活性和选择性,K-Cr(Ⅲ)/SiO₂与Cr(Ⅵ)/SiO₂活性相近。紫外可见漫反射光谱表征结果表明,Cr(Ⅲ)/_SiO2具有最高的低价Cr物种（Cr［L］）和高价Cr物种（Cr［H］）比例,K₂O的引入抑制了Cr［L］物种的生成。推测以叔丁基过氧化氢作氧化剂时,四氢萘氧化生成α-四氢萘醇是反应速率控制步骤,Cr［L］物种可能是催化该反应的活性中心。以O₂作氧化剂时,Cr(Ⅲ)/SiO₂与Cr(Ⅵ)/SiO₂催化剂性能相近,说明O₂在相界面传质和（或）在催化剂表面吸附可能是反应的控制步骤。     

多晶硅片湿法切边背抛光对转换效率的影响研究

太阳能作为一种绿色、清洁的可再生能源被广泛利用。多晶硅太阳能电池就是利用太阳能发电的产品,价格相对低廉。对湿法切边工艺参数进行研究,得出适合太阳能电池片生产线的参考工艺配方。实验采用HF、HNO_3的混合酸溶液进行多晶硅片太阳能电池湿法边缘去除即去除侧面的p-n结,背面p-n结去除同时进行背面抛光处理。结果表明,当背面反射率为28%~30%时,电池片的转换效率最佳,平均转换效率高于生产线0.05%。     

金刚线切割硅片制绒返工方法研究

文章使用制绒混合溶液对金刚线多晶硅片制程不良片进行制绒返工。方案通过调整制绒溶液浓度来控制刻蚀深度,通过补加制绒添加剂控制硅片表面反射率。实验分析了三种制绒返工方案所制电池片的外观形貌和电学参数,对比不同返工方案所做电池片的不良率。结果显示:通过稀释制绒溶液并且补加添加剂将制绒刻蚀深度控制在0.35μm左右,并且控制硅片表面反射率在25%以下,有利于改善返工电池片的转换效率和电池片良率。     

硅电池片传送过程表面划伤脏污的研究

太阳能电池片在自动化生产线生产过程中,自动传送是通过皮带传送硅片实现的。湿制程设备的加载、卸载端使用的是全自动硅片上料、下料机,它的下料端容易出现皮带传送印迹,即硅片被划伤沾染脏污,不仅降低了成品电池片的良率,而且影响了电池片的转换效率。调查研究下料机在运行过程中对硅片产生划伤脏污的主要原因,针对下料机的影响及可控制因素以及生产线的产量、良率、碎片率等任务要求,通过测试,得出了优化皮带运行速度的最佳参数设置,解决了皮带划伤脏污的现象,提高了设备的稳定性。     

多晶电池片背电场发黄问题分析

在电池片的生产过程中,背面场经常会发现存在黄斑问题。分析研究了电池背电场发黄的形成原因,实验验证,可通过更换铝浆型号和对烧结炉排风进行优化解决该问题。