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单晶硅金字塔绒面结构的形成受制绒碱液浓度、添加剂、制绒温度、制绒时间等因素的影响。本实验在不影响车间生产工艺的前提下,从单晶制绒工艺的粗抛时间和碱制绒时间上进行调整,以此获得不同的减薄量,并获得最终的电学性能。通过实验,单晶硅粗抛时间在达到去除损伤层的基础上要尽量缩短,碱制绒时间的选择要兼顾单晶硅电池的制绒反射率、最终电学性能和转换效率等因素的影响。 相似文献
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以SeO2,CdCl2.5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜。研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能。结果表明:制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态;随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落。综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳。 相似文献
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背钝化多晶电池工艺中通常使用各种化学品,采用链式设备对硅片进行清洗、制绒等处理,以达到后续的外观、洁净度等工艺要求。背钝化多晶电池生产中,需要对多晶硅片进行多次化学品处理。多晶制绒工艺在生产顺序的上游完成,接着再进行背面钝化、清洗等工艺时,如果多晶硅片正面没有进行有效保护,就会对多晶硅片的绒面结构造成破坏,不仅影响成品电池片正面外观,同时也影响电池片转换效率和质量检测。本文优化了原有的旧制绒工艺,通过改变不同刻蚀工艺时的化学品配比、减重量、反射率等,既可以对硅片进行有效清洗,同时也能避免对硅片外观造成破坏,调试出了适合背钝化多晶电池湿法刻蚀处理的工艺流程与控制参数。 相似文献
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