硅基沉积氮化镓，碳化硅，Ⅲ-Ⅴ族及其合金材料研究进展

硅基沉积氮化镓,碳化硅,Ⅲ-Ⅴ族及其合金材料是近年来的研究热点．氮化镓,碳化硅及其Ⅲ—Ⅴ材料在光电子和电子元件领域有着广泛的应用．例如大功率,高速器件,大型激光器,紫外探测器等等．尽管硅基片具有低成本,大的尺寸和极好的电热导性能等优点,硅基片仍没有成为氮化镓,     

高铝氧电瓷材料破坏机理的研究

本文研究了高铝氧电瓷材料的破坏机理,采用扫描电子显微镜(SEM),电子探针(EDX)及声发射方法(AE)研究了高铝氧电瓷材料的断裂源,断裂过程,断裂形貌和声发射特性;测定了高铝氧电瓷材料的断裂韧性k_(1c);并用统计的方法研究了它的破坏强度分布规律。不仅从理论上研究了高铝氧电瓷材料工艺、结构和力学性能间的相互关系,而且还研制出瓷质强度高于1800kg/cm~2,k_(1c)为1.65MN~(3/2),威布尔模数为23的高强度电瓷配方。     

高铝氧电瓷材料的破坏分析

本文研究了高铝氧电瓷材料的破坏机理。采用扫描电子显微镜(SEM)、电子探针(EDX)研究了高铝氧电瓷材料的断裂源、断裂过程、断裂形貌以及断裂源的成因,并用统计方法研究了断裂源不同的材料的强度分布规律。     

ZTA陶瓷断裂韧性和强度的研究

通过控制Y_2O_3在YPSZ(Y_2O_3部分稳定氧化锆)的含量以及YPSZ在ZTA(氧化锆增韧氧化铝瓷)中的含量可以最大限度地使基质中的氧化锆以亚稳定四方相形式存在;实验结果表明:上述二值分别为4wt%和18wt%。通过控制YPSZ团聚体尺寸和控制其晶粒尺寸小于基质晶粒尺寸,可以同时较好地使ZTA陶瓷的K_(IC)和σ_f得到提高。     

Y_2O_3稳定ZrO_2结构的EXAFS研究

采用EXAFS分析方法研究了较大组成范围内Y_2O_3稳定ZrO_2多晶粉末中Zr~(4+)、Y~(3+)两种离子的近邻结构,得到了Zr-O、Y-O平均间距。进一步确证,Y_2O_3-ZrO_2体系完全稳定的立方相中,Y~(3+)置换了Zr~(4+)并伴随氧空位的产生。发现亚稳定的四方相中,Zr~(4+)、Y~(3+)两种离子的近邻结构与其在单斜相及立方相中有很大差别。     

陶瓷材料断裂过程的声发射研究

本文用声发射方法研究了陶瓷材料的断裂过程,得到了几种典型的声发射谱。把断裂过程的声发射和其断裂形貌结合起来研究,陶瓷材料的断裂过程可以分为三个阶段:弹性应变阶段;断裂源的形成和裂纹稳态扩展阶段;裂纹的失稳扩展至断裂阶段。陶瓷材料不同的断裂历程对应着不同的声发射谱。     

基于PEG修饰的ZnO量子点光学特性研究

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO量子点, 并采用有机高分子试剂PEG(聚乙二醇, M_w=2000)对其表面进行修饰。借助X射线衍射分析、傅立叶红外光谱、光致发光谱和透射显微镜等测试方法, 研究了PEG表面修饰对ZnO量子点结构和光学性能的影响规律。研究表明, 混合加入的PEG聚合物能够成功地包覆在ZnO量子点表面, 但没有改变量子点的晶体结构, 经PEG表面修饰后的ZnO量子点尺寸变小, 稳定性增强, 分散更均匀。同时经PEG修饰的ZnO量子点在400~500 nm波长区域缺陷态发射峰明显减弱, 表明采用PEG来改善ZnO量子点表面缺陷结构具有良好效果。     

四方相纯氧化锆粉体的制备及其亚稳机理

通过控制沉淀过程pH值以及粉体颗粒度,制得了一种四方相纯氧化锆粉体。在应力诱导下,这种四方相纯氧化锆粉体部分能发生相变。其相变临界粒径小于180A,它的亚稳保留受凝胶先驱体结构及临界粒径双重控制。     

陶瓷材料断裂机理的研究

随着超高压,远距离输电系统的建立和发展,以及新型高压电器设备的应用,对高压电瓷的瓷材料的机电强度提出了愈来愈高的要求。当前,如何提高电瓷的瓷质强度和采用新型高强度电瓷已经成为高压电瓷科学研究和生产中的重要课题。为了开展这一课题,我们采用断口分析法,声发射方法     

影响电瓷机械强度诸因素的探讨

<正> 一、前言陶瓷坯体的机械强度和强度稳定性决定于它的显微结构.对于铝质高强度电瓷,瓷坯应具有什么样的显微结构其强度才最高?对瓷坯强度影响较大的因素有哪些?进一步提高铝质电瓷瓷质强度的途径是什么?本文拟就这几方面作一些探讨.二、瓷坯晶相及其织构对强度的影响铝质瓷坯结构主要由刚玉、莫来石、少