左手材料的设计和研究进展

左手材料是近年来发现的某些物理特性完全不同于常规材料的新材料,在电磁波某些频段能产生负介电常数和负磁导率。详细回顾这种人工材料的背景,研究进展,介绍其应用,并对其应用前景进行展望。     

三维石墨烯的制备和应用研究

本文介绍了三维石墨烯的制备方法,比较了不同制备方法的特点,分析了三维石墨烯制备的自组装法、模板法和3D打印方法的特点及应用。综述了三维石墨烯在气敏传感,压力传感,环境修复及气体吸附,催化剂,磁电器件制备,储能和超级电容制备等方面的性能和应用,并对三维石墨烯制备方面的结构优化、性能优化、应用拓展等方面进行了展望。     

柠檬酸三铵对PZT基压电陶瓷浆料的分散和稳定

为探索分散剂柠檬酸三铵对PZT基压电陶瓷材料的分散性和稳定性,对PZT基压电陶瓷材料进行凝胶注模成型实验.通过测量浆料的沉降性和流变性,研究了分散剂的浓度和pH值对浆料的分散和稳定的影响.实验结果表明最佳分散剂浓度为PZT基陶瓷粉体的1.5%～2.0%,最佳pH值为9～11.当分散剂和pH值分别为1.5%和10时,制备出固含量达50.5%,粘度小于1Pa.s的适于凝胶注模的稳定陶瓷浆料,成瓷密度达7.5g/cm3.结果表明,剂柠檬酸三铵是该体系凝胶注模成型有效的分散剂.     

蓝牙技术综述

本文介绍了蓝牙技术的主要特点,分析它的拓扑结构,介绍它的协议,探讨了蓝牙技术的应用,并和相关技术作了比较.     

凝胶注模成型工艺的研究

综述了陶瓷凝胶注模工艺的产生、工艺过程、常用的凝胶体系，并和相关成型技术进行了比较，论述了其发展状况和存在的问题，展望了其发展趋势，尤其是在功能陶瓷成型的应用方面。     

PBSZT系大功率压电陶瓷极化工艺的研究

为探索大功率低损耗压电陶瓷材料的最佳制备工艺,对改性锆钛酸铅压电陶瓷Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.44O3 0.5wt%MnO2 0.5wt%Sb2O3的极化工艺进行研究。结果表明,该体系的最佳极化电场为4Kv/mm,极化温度120℃左右,此时得到的陶瓷性能较佳。     

BiFeO_3/Bi_4Ti_3O_(12)多层铁电薄膜的性能研究

采用sol-gel法在FTO/玻璃底电极上制备了BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜。研究了室温下薄膜的结构,铁电和漏电流性质。结果表明,相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜具有更低的漏电流,表现出较强的铁电性,在4.40×105V/cm的测试电场强度下,剩余极化强度为3.7×10–5C/cm2。在2.00×105V/cm的测试电场强度下,BiFeO3和BiFeO3/Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度分别为10–5和10–7A/cm2。     

退火温度对Sol-gel法制备的BiFeO_3薄膜结构及电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在ITO/glass衬底上制备了BiFeO3薄膜,退火温度分别为500℃和550℃.实验结果表明,550℃退火的薄膜晶粒较大且不均匀,并有杂相产生,薄膜的漏电流较大,没有得到饱和的电滞回线;而在500℃退火的薄膜晶粒较小且均匀,没有杂相产生,相对于550℃退火的薄膜,其漏电流密度降低了约2个数量级,铁电性得到明显增强,剩余极化强度约为40μC/cm2,矫顽场约为75kV/cm,最大的测试电场为130kV/cm.     

基于PVDF薄膜传感器及其应用研究

本文探讨了传感器用具有较好铁电性的β相PVDF薄膜的制备方法及性能特点,介绍了基于PVDF薄膜的压电性能和热释电性能,以及采用该薄膜制备的传感器的应用领域,重点介绍了其在机械工程领域,土木工程领域,交通和生物工程领域的应用,探讨了薄膜传感器存在的主要原理上的欠缺和技术不足等方面的问题,并对其发展前景进行了展望。     

低温共烧微波介质陶瓷的研究

随着现代信息产业的飞速发展,对电子线路的微型化、轻量化、集成化和高频化提出了更高的要求.本文研究了低温共烧微波介质陶瓷的发展、意义、工艺及其三大体系,并重点探讨了软铋矿(Bj12MO20-δ)的低温共烧特性.探讨了微波介质陶瓷低温共烧技术的发展现状和将来的发展趋势,指出了发展的不足和主要发展方向.