a-Si∶H/Au/a-Si∶H膜的退火行为

Tsai等人发现180℃退火后在a-Si:H/Au薄膜内生成了雪花状结晶Si岛,类似的结果也被Hultman等人报导过。本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了a-Si:H/Au/A-Si:H(10nm/30nm/10nm)三层膜的真空退火行为并对退火后形成的枝叉状晶化Si岛的结构和形成机理进行了研究和探讨。电镜观察结果表明,Au与Si在室温下形成一互混层,这可通过Au(111)衍射环分裂成d值为0.236和0.248nm的二个衍射环来证实。150℃热处理导致了Au_2Si这一亚稳相的生成。在200和250℃退火一小时后,膜中出现了枝叉状组织。图a显示了在250℃退火后样品中出现的一枝叉状组织的形貌,其内存在的大量弯曲消光条纹表明晶体快速生长在膜内造成了很大的应力状态。图b和c分别是图a中基体区和枝叉区的电子衍     

均匀纺锤形α-FeOOH微粒脱水过程的研究

本文通过DTA、TG、XRD及TEM对均匀纺锤形α-FeOOH微粒的脱水过程进行了研究。证明低温脱水形成的沿α-Fe_2O_3微粒长轴方向的狭缝间隙,是使XRD图谱(012)、(104)、(024)、(214)晶面衍射峰变宽的主要原因。     

金属α-Fe微粉制备探索

本文研究了以针状包钴Y-Fe_2O_3为原料经过液相处延包覆金属Ni、过滤、干燥和粉碎后,在390～460℃温度下,用干燥的H2还原制得金属a-Fe微粉。在空气中保存5个月后,测得其矫顽力最高值为74 kA/m(920 Oe),最大比饱和磁化强度为105 A·m~2/kg(emu/g)。用X射线粉末衍射确定了产物的成份,用K2Cr_2O_7滴定法求出金属α-Fe的含量,并在透射电镜下观察微粉形貌。     

硫化铅超细纳米带和纳米线的TEM表征

本文报道了碳化铅越细纳米带和纳米线的电镜研究结果。纳米带宽小于20nm，纳米线直径约30nm，轴向生长方向均为[110]方向。纳米带晶格完整，少有缺陷，而在纳米线中观察到∑17、∑5的[001]领侧晶界和∑17[001]对称倾转晶界，倾侧晶界由一晶粒的[410]或[210]晶面族与另一晶粒的[200]晶面族相互碰撞而形成；对称倾转晶界由两晶粒的[410]晶面族相互碰撞而形成。     

纺锤形γ－Fe_2O_3微小颗粒的形成

用ＦｅＳＯ＿４和Ｎａ＿２ＣＯ＿３为原料制备纺锤形α－ＦｅＯＯＨ微小颗粒，用透射电镜和Ｘ射线衍射视察到纺锤形α－ＦｅＯＯＨ微小颗粒的形成是丝状晶粒的聚集和生长的过程，研究反应液的ｐＨ值和反应时压缩空气的流量变化对α－ＦｅＯＯＨ微小颗粒形貌的影响，观察了由这种α－ＦＥＯＯＨ制成的γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３的形貌，提出提高其磁性能的途径。     

利用I(M)/I(L)改进薄膜定量分析的电离截面

1975年以来在分析电镜中广泛使用比例因子(Cliff-Lorimer因子)法进行薄试样X射线能谱定量分析,但迄今为止实验测定的K—K系比例因子仅二十几个,K—L系比例因子仅10个。70年代末以来利用X射线物理公式,计算了比例因子,在商品仪器上发展了无标样定量分析。但所使用的K—L或L—M系的误差常达20—50％。我们认为这样大的误差来源于电离截面Q。为进一步通过实验I(M)/I(L)比值确定对于M—L合适的Q公式。我们在分析透射电子显微镜镜上用EDAX9100测量纯元素H_0和纯稀土元素Yb、Er、Dy、Gd、Sm等的实验I(M)/I (L)强度比位。本文测重的实验值是在入射电压75、100、150、175、200kV下,样品倾角为0°,X射线出射角为68°进行测量的。为提高信噪比,除了采     

分形晶化的Au/a-Ge双层膜的非线性体V-Ⅰ特征

本文报道了Au／a－Ge双层膜的分形晶化现象，并首次测量了An／a－Ge双层膜分形晶化的V－I特性．实验结果表明：分形晶化后的An／a－Ge双层膜具有反常的非线性V－I特征，应用隧道结网络（RTJN）模型对实验结果给予了合理的解释．     

W/C.Mo/Si,W/si,Pt/si多层膜热稳定性的电镜研究

本文利用横截面电镜试样方法研究了W/C、Mo/Si、W/Si、Pt/Si四种多层膜的热稳定性。它们均生长在Si(100)衬底上,其周期数分别为125,65,288,35。透射电镜实验在H—800上进行。W/C多层膜有未退火,500℃,800℃退火0.5hr的样品,Mo/Si多层膜有未退火和500℃退火0.5hr的样品,W/Si多层膜有未退火和400℃退火0.5hr的样品,Pt/Si多层膜有未退火的样品。退火的真空度优于3×10~(-5)托。典型的衍射花样和明场像如图所示,根据衬未退火、W/Si多层膜的衍射花样及BF像。底单晶Si的衍射斑作内标可以精确地测定多层膜的周期,发现不同退火温度后其多层膜的周期不同。400℃退火后的W/     

热处理前后Mo—GaAs界面区域的结构变化

金属和半导体接触的界面特性是国内外普遍感兴趣的重要课题。本工作用高分辨电子显微术和微衍射观察了Mo—GaAs在热处理前后的结构变化。界面结构的薄截面试样制备包括把Mo溅射到GaAs衬度,再经解理、粘接、研磨、离子减薄等一系列过程。热处理样品是在500℃,真空度5×10~(-6)托的条件下维持了12分钟。     

薄试样的新Cliff—Lorimer因子的获得

利用薄试样标准单晶样品和纯元素样品如InP、ZnS、CdS、Bi_4Ge_3O_(12)、Y_3Al_5O_(12)、GaP、BaPbO_3、和Pt、Au、Sm_2O_3、Gd_2O_3、Dy_2O_3、Er_2O_3、Yb_2O_3、HfO_2、WO_3、Bi_2O_3等,在H-800电镜-EDAX射线能谱仪上,分别在100KV和200KV下测量标样不同标识X射线强度比或纯元素不同线系强度比,由下列公式得到一系列新的Cliff-Lorimer因子: