| W/C.Mo/Si,W/si,Pt/si多层膜热稳定性的电镜研究 |
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| 引用本文： | 蒋最敏,卢江,张庶元,吴自勤.W/C.Mo/Si,W/si,Pt/si多层膜热稳定性的电镜研究[J].电子显微学报,1988(3). |
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| 作者姓名： | 蒋最敏 卢江 张庶元 吴自勤 |
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| 作者单位： | 中国科技大学结构分析实验室，中国科技大学结构分析实验室，中国科技大学结构分析实验室，中国科技大学 结构分析实验室 |
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| 摘 要： | 本文利用横截面电镜试样方法研究了W/C、Mo/Si、W/Si、Pt/Si四种多层膜的热稳定性。它们均生长在Si(100)衬底上,其周期数分别为125,65,288,35。透射电镜实验在H—800上进行。W/C多层膜有未退火,500℃,800℃退火0.5hr的样品,Mo/Si多层膜有未退火和500℃退火0.5hr的样品,W/Si多层膜有未退火和400℃退火0.5hr的样品,Pt/Si多层膜有未退火的样品。退火的真空度优于3×10~(-5)托。典型的衍射花样和明场像如图所示,根据衬未退火、W/Si多层膜的衍射花样及BF像。底单晶Si的衍射斑作内标可以精确地测定多层膜的周期,发现不同退火温度后其多层膜的周期不同。400℃退火后的W/
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