Sn掺杂对(In0.95-xSnxFe0.05)2O3薄膜的结构、电学及磁特性的影响

我们利用脉冲激光沉积的方法制备了一系列(In0.95-xSnxFe0.05)2O3 (x=0~0.09)薄膜,并在其中发现了室温铁磁性。X射线衍射结果表明锡与铁离子已掺入氧化铟晶格。随着锡的掺入,样品内的载流子浓度得到了很大的提高,但相应的铁磁性却几乎没有变化。我们认为氧空位相关的束缚磁极化子模型能够跟好的解释我们的铁掺杂氧化铟薄膜中的铁磁耦合的机制,而载流子传导的RKKY相互作用则不适用于这一系统。     

Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性

研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.     

磁控溅射制备Co／Al2O3／FeNi磁隧道结

利用磁控溅射设备和光刻技术，采用金属等离子体氧化法，设计制作了10μm×15μm的Co／Al2O3／FeNi磁隧道结，并在77K下对其输运特性进行了研究。测得了11％的隧道磁电阻。随着外加电压增加，隧道结的磁电阻单调减小。测量了样品的I-V特性曲线，发现随着外加电压的增加，曲线逐渐偏离线性，电阻变小，这与理论相符合。电阻随温度变化曲线表明电阻随温度升高而减小，而且在210K处有一个拐点。表现出典型的隧穿过程的特征。     

ZnO纳米棒阵列的可控生长与表征

采用化学溶液法在沉积了ZnO种子层的SnO2:F导电玻璃衬底上,生长了ZnO纳米棒阵列。研究了1,3-丙二胺浓度对纳米棒阵列的形貌结构的影响规律。采用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)对ZnO纳米棒的表面形貌和晶格结构进行了表征。SEM结果表明纳米棒阵列垂直衬底表面生长,XRD结果表明纳米棒生长方向沿着[002]晶向,具有单晶结构。1,3-丙二胺浓度对制备得到的纳米棒形貌、长度等有明显调控作用。在优化条件下生长的ZnO纳米棒的长度大约7m,根部直径150nm,尖端直径大约10nm。研究了ZnO纳米棒阵列的光致发光(PL)特性。     

新型银基导电陶瓷复合电接触材料

针对目前触点材料领域的现状和存在的问题及低压电器对触点材料的应用要求,提出了一种研究触点材料的新思路,制成了银基导电陶瓷触点材料。实验结果表明,该材料具有优良的机械性能和电性能,完全可能成为AgCdO的替代品,同时其优良的机加工性能对AgSnO也具有很大的挑战性。     

TiN基磁性薄膜的研究

用射频磁控溅射技术制备了TiN掺Co的薄膜样品。400℃真空退火后,振动样品磁强计测量(VSM)表明,样品在室温下具有显著的铁磁性。其饱和磁化强度为2.93×108A/m,饱和磁场强度约160kA/m,矫顽力32kA/m。超导量子干涉仪(SQUID)测量M-T曲线得出其居里温度在360K以上,X射线衍射实验表明样品具有TiN样品的衍射峰。利用四探针测试仪测量电阻率得出ρ=4.824×10-5Ω·m。     

Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性

研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.     

Effect of Sn-doping on the structural,electrical and magnetic properties of(In0.95-xSnxFe0.05)2O3 films

Room-temperature ferrornagnetism was observed in(In_0.95-xSn_xFe_0.05)₂O₃（x = 0-0.09） films deposited by pulsed laser deposition.XRD results give a direct proof that both Sn and Fe ions have been incorporated into the In₂O₃ lattice.The carrier concentration in the films is obviously increased by the Sn-doping,while the ferromagnetic properties are rarely changed.We think that in our Fe-doped In₂O₃ films,the oxygen vacancy-related bound magnetic polaron model,rather than the carrier-mediated RKKY coupling,is the main mechanism for the observed ferromagnetism.     

新型Sb2S3-Sb2Se3与单晶二氧化钛纳米阵列复合结构在太阳能电池领域的应用

近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注．Sb2S2和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分．通过水热法,二氧化钛（TiO2）单晶纳米阵列被成功生长在FTO导电玻璃上．通过连续离子层吸附法（SILAR）,Sb2S3Sb2Se3复合纳米结构被生长在二氧化钛单晶纳米阵列的表面．利用x射线衍射（XRD）表征Sb2S3和Sb2Se3纳米晶体的晶相,利用扫描电子显微镜（SEM）表征其形貌,发现在这一复合结构中,二氧化钛单晶纳米阵列与Sb2S3结合之后所留下的空隙被Sb2Se3量子点填充,从而提高了结构表面积的利用率．随着连续离子层吸附法反应周期的增加,Sb2S3-Sb2Se3,与二氧化钛单晶纳米阵列共同形成复合结构的带隙发生了明显的红移,吸收边在可调控的情况下由1．7eV向红外波段发生了移动．这种纳米结构的比表面积大、工艺简单、结构致密、沉积速率快、可调控性强,对于今后敏化太阳能电池领域的应用有很大的启发作用．     

Study on Conductivity of Ceramics LaFe_(1 - x) Ni_xO_(3-δ)

Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｃｅｒａｍｉｃｓａｒｅａｎｅｗｋｉｎｄｏｆｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｍａｔｅｒｉａｌ．Ｉｔｅｘｈｉｂｉｔｓｓｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄｍｅｃｈａｎｉｓｔｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｎｏｒｍａｌｃｅｒａｍｉｃｓａｓｗｅｌｌａｓｍｅｔａｌｌｉｃｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ．Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｃｅｒａｍｉｃｓｃａｎｂｅｐｒｅｐａｒｅｄｗｉｔｈｔｈｅｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｍｅｔｈｏｄｏｆｓｏｌｉｄｐｈａｓｅｒｅａｃｔｉｏｎｓｗｈｉｃｈｍａｋｅｓｉｔｅａｓｙｔｏｂｅｐｒｏｄｕｃ…