基于改进PSO算法的自适应均衡算法

传统的自适应均衡算法存在收敛速度慢,稳定性差、均衡效果不理想等缺点,从而使自适应均衡器在高速光纤通信系统中的应用受到限制.具有梯度搜索因子的Grads-PSO算法,结合了传统数值优化方法在计算速度和计算精度上的优势,将梯度法引入粒子群算法中.在梯度搜索因子的指导下,PSO算法的运算过程显得更加有规则,从而提高了算法的收敛速度和运算精度.因此,本文提出将改进PSO算法用作自适应均衡器均衡算法.通过仿真实验表明,改进PSO算法具有收敛速度快,计算精度高的优点,将其作为自适应均衡器的控制算法可收到很好的均衡效果,优于传统的控制算法.     

1.55 μm DFB LD光栅结构的优化设计

模拟分析了不同结构下二级光栅的特性,研究了光栅结构对分布分馈半导体激光器(DFB LD)空间烧孔以及光谱线宽的影响.最终给出优化后的光栅结构.优化后器件的阈值电流为11 mA,边模抑制比达到40 dB,最小线宽105 kHz,很好地抑制了空间烧孔效应.     

湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究

论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程.用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HB1:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃).利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求.     

具有梯形衬底结构半导体激光器的稳态特性分析

本文导出了梯形衬底半导体激光器的侧向扩展电流分布并提出了一种新的分析梯形衬底激光器稳态特性的模型。根据这一模型对梯形衬底双异质结结构和大光腔结构进行了分析和比较。分析结果和文献报道的实验结果很好地符合。     

InGaAs／AlGaAs 941 nm高功率半导体激光二极管阵列

利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs／GaAs／AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm，光谱的半高全宽(FWHM)为3．3nm，在400μs、50Hz的输入电流下，输出峰值功率达到67．9W，斜率效率高达0．85W／A(64％)。     

808nm半导体激光器的腔面反射率设计

通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率,内损耗、透明电流密度、模式增益等.根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线.进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合.通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下.     

大功率半导体激光器腔面镀膜的理论研究

从平面波假设出发推导了多层薄膜的特性矩阵，得到了膜系的反射率计算公式。研究了腔面反射率对大功率半导体激光器的外量子效率、阈值增益和输出功率比的影响，并给出了整个膜系反射率随膜层的光学厚度、折射率差及其层数的变化趋势。该模型对半导体激光器的腔面膜层设计具有实际的指导意义。     

高速脊波导激光器寄生电容的分析

高速调制半导体激光器光源是光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。高速激光器的寄生电容是影响其调制带宽的因素之一。为了减小寄生电容,针对脊波导结构激光器的电容,采用计算机模拟与实际测试相结合的方法,进行了理论分析和实验验证。结果表明,其寄生电容大小不仅与电极金属化面积有关,还与隔离沟的腐蚀深度有关。当腐蚀至波导层时,寄生电容减小到10pF以下。这一结论对实现激光器的高速调制是非常有意义的。     

基于IRP的企业信息化工程整体解决方案的设计

为解决当前企业信息化建设中"信息资源整合与共享问题",提出了一种基于IRP的企业信息化工程整体解决方案.介绍了信息资源规划的相关知识,分析了IRP与ERP之间的区别,采用信息资源规划方法,提出了一整套由"方法论 标准规范 支持工具"组成的技术体系解决方案,从而减少企业内部信息交流和沟通的中间环节,加快部门信息传递速度,提高了企业内部计算机应用水平,促进了企业现代化管理水平的提高,增强了企业的市场竞争能力.     

P型GaAs衬底平面结构可光半导体激光器的研究

偿试性的在P－GaAs衬底上采用液相外延技术，研制成了双异质结（DH）平面结构可见光半导体激光器，其波长为794．5mm，阈值电流为3A，垂直结平面和平行结平面的光场强度发散角分别为15度和25度，三倍阈值电流工作时单面输出光功率为2－3W。