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| P型GaAs衬底平面结构可光半导体激光器的研究 | |
| 引用本文： | 陈国鹰,展永,等.P型GaAs衬底平面结构可光半导体激光器的研究[J].湖北工业大学学报,1995,24(1):88-91. |
| 作者姓名： | 陈国鹰 展永 |
| 摘 要： | 偿试性的在P－GaAs衬底上采用液相外延技术，研制成了双异质结（DH）平面结构可见光半导体激光器，其波长为794．5mm，阈值电流为3A，垂直结平面和平行结平面的光场强度发散角分别为15度和25度，三倍阈值电流工作时单面输出光功率为2－3W。 |
| 关 键 词： | 液相外延 半导体激光器 P型 砷化镓 衬底 |
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