改性聚偏氟乙烯接枝苯乙烯/丙烯酸磺酸电解质膜及其在CO传感器中的应用

以过氧化苯甲酰(BPO)作引发剂,通过溶液接枝聚合法把苯乙烯/丙烯酸同时接枝到原硅酸钠改性的聚偏氟乙烯(PVDF)膜上,磺化后得到聚偏氟乙烯接枝苯乙烯/丙烯酸磺酸(PVDF-g-PS/ PASA)膜.FTIR分析表明:苯乙烯和丙烯酸接枝到PVDF膜上;环境的相对湿度在20%～80%范围内,对PVDF-g-PS/ PASA膜电导率的影响基本不变,并达到0.0198S·cm-1,40℃保水率达99%.将膜应用于CO传感器中,传感器电流响应信号与CO气体浓度具有较好的线性关系.     

反相微乳液碳吸附耦合法制备氧化钇稳定四方氧化锆纳米粉体及表征

采用反相微乳液和碳吸附法制备了氧化钇稳定四方氧化锆纳米粉体,探讨了碳黑的加入量对粉体比表面积的影响,得到最佳的碳黑量。分别采用XRD、TEM、BET和TG分析了不同温度下煅烧所得粉体的物相、颗粒度和比表面积以及前驱体热分解特性。实验结果表明,经700℃焙烧后制得了分散性好的四方相ZrO2纳米粉体,比表面积为97.4m2/g,平均粒径为9nm。     

均匀沉淀碳吸附耦合法制备Y_2O_3纳米粒子及表征

采用均匀沉淀碳吸附法制备氧化钇纳米粉体.探讨碳黑的加入量对粉体表面积的影响,以得到最佳的碳黑加入量.利用XRD,TEM和BET等现代物理测试方法对其物相、颗粒度、分散性、颗粒形貌和比表面积等性能进行表征.结果表明,700℃培烧的粉体呈现良好的分散状态,比表面积为53.6 m2/g,平均颗粒直径为18 nm;随着烧结温度的升高,粉体的粒径逐渐增大.     

常温保水PVDF复合质子交换膜的研制

以聚偏氟乙烯（PVDF）为基质。加入适量的P2O5,制备了P2O5掺杂的PVDF质子导电膜,采用交流阻抗谱的方法研究了不同质量分数P205复合膜的导电性能及相对湿度对电导率的影响,利用TG分析了电解质的保水性和热稳定性。结果表明：15％P2O5的PVDF电解质的室温电导率达到1．91×10^-2s·cm^-1,相对湿度在20～70％范围内．对其电导率影响不大,在低于100℃下加热,复合膜的失重小于1％．表明其具有较好的保水性和较高的热稳定性。     

金属Mn对烧成Al2O3-C材料力学性能的影响

主要研究了金属Mn对al2O3-C复合材料力学性能的影响，并与添加金属Al，Si的Al2O3-C材料的力学性能进行了对比．在Al2O3-C复合材料中，添加Mn粉的力学性能优于添加Al和Si粉的试样，同时加入Si和Mn时，可显著提高材料的力学性能．还对Mn的作用机理作了理论分析．     

P_2O_5填充的PVDF复合聚合物导电膜的研制与性能研究

以聚偏氟乙烯为基质,加入适量的P2O5,制备了P2O5填充的PVDF复合聚合物质子导电膜,采用交流阻抗谱的方法研究了P2O5的质量分数不同的复合膜的导电性能及相对湿度对电导率的影响.结果表明,该电解质的室温电导率达到10-2 S·cm-1,相对湿度在20%～90%范围内,对电解质的导电性影响不大.     

SiCI4/H3PO4添加的PVDF复合电解质膜的研制

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基质,加入适量的H3PO4和SiCl4,利用流延法制备了H3PO4/SiCl4掺杂的PVDF质子导电膜,采用交流阻抗谱法研究了质量分数为0.15H3PO4和不同质量分数SiCl4的PVDF电解质膜的导电性能及相对湿度对电导率的影响.结果表明,质量分数为0.10SiCL4,0.15H3PO4的PVDF复合电解质膜,室温电导率为6.37×10-2 S/cm,相对湿度在20%～80%范围内,电解质的电导率变化不大.     

新型质子导电聚合物电解质的研制及性能研究

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基质,掺杂P2O5保水剂,研制了一种新型质子P2O5/PVDF聚合物复合薄膜电解质.应用交流阻抗技术研究了P2O5/PVDF聚合物复合薄膜电解质的导电性.讨论了该聚合物复合薄膜电解质电导率随相对湿度、测量温度变化规律.应用红外光谱法研究了掺杂P2O5后电解质的结构变化.应用热分析仪研究了P2O5/PVDF聚合物复合薄膜电解质的热稳定性.结果表明,电解质膜在低于100 ℃具有稳定性,是一种在室温电导率较高的质子导电的室温聚合物电解质.     

反相微乳液和碳吸附耦合法制备Y2O3纳米粉体及表征

采用反相微乳液和碳吸附法制备了氧化钇纳米粉体,探讨了碳黑的加入量对粉体比表面积的影响,得到最佳的碳黑量.分别采用XRD、TEM、BET和TG分析了不同温度下煅烧所得粉体的物相、颗粒度、分散性和比表面积以及前驱体热分解特性.实验结果表明,700℃焙烧的粉体呈现良好的分散状态,比表面积为89.5m2·g-1 ,平均颗粒直径为10nm,随着烧结温度的升高,粉体的粒径逐渐增大.