TC2模型下中性top-pion衰变过程研究

在顶色辅助的人工色（TC2）理论模型中，研究了树图下中性top—pion（πt^0）的衰变过程πt^0→bb^-，tt^-，tc^-和圈图下中性top—pion（πt^0）的衰变过程πt^0→gg，γγ，γz，通过对这些衰变过程的衰变分支比的计算，可以得到πt^0在树图下的主要衰变过程为πt^0→tt^-，tc^-，在圈图下的主要衰变过程为πt^0→gg.对于小质量的中性top-pion（πt^0），可以用πt^0→tc^-来探测；对于大质量的中性top—pion（πt^0），可以用πt^0→tt^-来探测．中性top—pion（πt^0）是TC2模型中的特征粒子，通过对这些过程的研究可为在将来的直线对撞机上探测top—pion（πt^0）的存在提供理论依据。以此来检验TC2理论的正确性．     

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3与Al复合体系电磁输运性质的研究

研究了具有庞磁电阻(CMR)效应的锰基钙钛矿氧化物La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)与Al复合体系的电磁输运性质.根据X射线衍射分析及电阻率与温度的关系可知,在(1-x)LCMO+xAl(x代表物质的量)复合样品中,发现了新相Al2O3,且LCMO晶格常数和晶胞体积随Al掺量的增加而减小,同时在复合样品中出现了除对应LCMO本征金属-绝缘体转变峰TP1之外,在较低温度区域出现了另外一个转变峰TP2的现象,且复合样品转变峰TP2比LCMO本征金属-绝缘体转变峰TP1处于较宽的温度区域.经研究认为,在合成复合样品的实验过程中,既有Al被氧化为Al3+替代Mn3+的替代反应,也有Al经过高温与空气发生反应生成Al2O3,进而填隙在LCMO晶界处影响母体的电磁输运性质.本系列复合物中较宽温度区域CMR的发现为今后同类问题的研究提供了很好的实验基础.     

实用半导体激光电源的研制

分析了半导体激光器的特性及损坏的各种原因，介绍了一种实用的半导体激光电源，该电源已成功地应用于我们研制的光纤测温仪中。     

新型半导体激光电源的设计

利用抗电网浪涌电路、慢启动慢关闭电路和电流负反馈电路设计了一款应用于半导体激光器的新型工作电源。测试结果证明该电路能够对浪涌起到良好的防范作用,实现了对半导体激光器的防浪涌保护,改进了半导体激光器电源的可靠性,提高了半导体激光器的输出稳定性,延长了激光器的使用寿命。     

Effects of Nb Addition on Glass-Forming Ability，Thermal Stability and Mechanical Properties of Ti-Based Bulk Metallic Glasses

(Ti40Zr25Cu9Ni8Be18)100-xNbx(x=0,1,3,4,5 at%)钛基大块金属玻璃由铜模铸制得,制得的金属玻璃由直径大于6 mm的全非晶相构成。铌添加对非晶形成能力和热稳定性的影响由X射线衍射仪,透射电子显微镜和示差扫描热量计分析研究,机械特性由MTS810型力学特性测试仪在室温下以压缩模式测量,应变速率为2×10-4 s-1。实验发现:铌的添加对非晶形成能力几乎没有影响,但使得热稳定性有所提高。随着铌含量的增加,合金表现出很高的抗断强度,当x=4时,合金表现出最高的耐压强度1945 MPa和塑性延伸7%,塑性有明显提高。扫描电子显微镜分析表明,(Ti40Zr25Cu9Ni8Be18)96Nb4的高延展性是由于形成了高密度的剪切带的原因。     

高电压的光测方法探讨

本文探讨了利用晶体的Ｐｏｃｋｅｌｓ效应来测量高电压的技术，该技术传统的各种高电压测量技术相比，具有测量系统体积小，造价低，与被测电压之间可实现安全全隔高等优点。因此，该技术对术于工矿企业具有广阔的应用前景。     

大轴弯曲激光精密自动测量系统

提出了用激光扫描技术测量汽轮机转子弯曲量的新方法。测量系统用平面转镜进行扫描,采用双狭缝进行扫描自校准,由光电探测器完成光电转换,最后由微机完成数据处理、显示及打印。实验表明,该系统能远距离非接触测量大轴弯曲,测量精度达±5μm,测量距离达4m。     

倒装芯片互连技术在光电子器件封装中的应用

分析了倒装芯片技术在光电子器件封装中应用时对基板和焊料的性能要求,在硅基板上设计和制作了用于激光芯片和光电探测器贴片的焊料凸点结构,并应用全自动贴片设备进行了贴片工艺试验.试验结果表明,倒装芯片技术可实现芯片与基板的高精度、高可靠性的互连,这种技术用于光收发器件的封装,可实现光电子器件的小型化和批量化生产,并能大大提高光收发模块的传输速率.     

La0.7Ca0.3MnO3与Al复合体系电磁输运性质的研究

研究了具有庞磁电阻（CMR）效应的锰基钙钛矿氧化物La0．7Ca0．3MnO3（LCMO）与Al复合体系的电磁输运性质．根据X射线衍射分析及电阻率与温度的关系可知，在（1-x）LCMO＋xAl（x代表物质的量）复合样品中，发现了新相Al2O3，且LCMO晶格常数和晶胞体积随Al掺量的增加而减小，同时在复合样品中出现了除对应LCMO本征金属-绝缘体转变峰TP，之外，在较低温度区域出现了另外一个转变峰TP2的现象，且复合样品转变峰T阳比LCMO本征金属-绝缘体转变峰TP1处于较宽的温度区域．经研究认为，在合成复合样品的实验过程中，既有Al被氧化为Al^3＋替代Mn^3＋的替代反应，也有Al经过高温与空气发生反应生成Al2O3，进而填隙在LCM0晶界处影响母体的电磁输运性质．本系列复合物中较宽温度区域CMR的发现为今后同类问题的研究提供了很好的实验基础．     

SOI压力传感器封装工艺研究

针对高温环境下各种气体和液体压力的测量要求，应用微机电系统技术研制了一种新型的SOI（Silicon on Insulator）压力传感器，并设计了一种耐高温的封装结构．采用有限元方法详细地分析了贴片材料对传感器灵敏度、应力分布及可靠性的影响．分析数据表明，贴片材料的杨氏模量和厚度对传感器的灵敏度和可靠性有较大影响，合理选择贴片材料可优化传感器性能．在分析的几种焊接材料中，AuSn焊料是一种性能优良的焊接材料，比较适合用于SOI耐高温压力传感器的封装工艺中．通过对研制压力传感器样品性能的测试，结果表明：该传感器测量精度达0．5％，测量压力量程为30MPa，测量介质温度为200℃．