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SOI压力传感器封装工艺研究
引用本文:关荣锋,赵军良,刘树杰.SOI压力传感器封装工艺研究[J].河南理工大学学报(自然科学版),2006,25(6):497-501.
作者姓名:关荣锋  赵军良  刘树杰
作者单位:河南理工大学,材料科学与工程学院,河南,焦作,454003
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:针对高温环境下各种气体和液体压力的测量要求,应用微机电系统技术研制了一种新型的SOI(Silicon on Insulator)压力传感器,并设计了一种耐高温的封装结构.采用有限元方法详细地分析了贴片材料对传感器灵敏度、应力分布及可靠性的影响.分析数据表明,贴片材料的杨氏模量和厚度对传感器的灵敏度和可靠性有较大影响,合理选择贴片材料可优化传感器性能.在分析的几种焊接材料中,AuSn焊料是一种性能优良的焊接材料,比较适合用于SOI耐高温压力传感器的封装工艺中.通过对研制压力传感器样品性能的测试,结果表明:该传感器测量精度达0.5%,测量压力量程为30MPa,测量介质温度为200℃.

关 键 词:SOI压力传感器  封装  贴片工艺  有限元分析
文章编号:1007-7332(2006)06-0497-05
收稿时间:2006-09-12
修稿时间:2006年9月12日

Research on SOI Pressure Sensor Packaging Process
GUAN Rong-feng,ZHAO Jun-liang,LIU shu-jie.Research on SOI Pressure Sensor Packaging Process[J].JOURNAL OF HENAN POLYTECHNIC UNIVERSITY,2006,25(6):497-501.
Authors:GUAN Rong-feng  ZHAO Jun-liang  LIU shu-jie
Abstract:
Keywords:SOI pressure sensor  Packaging  Die bonding technique  FEM analysis
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