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推导出了0-3/1-3混合连通型铁电陶瓷-铁电聚合物的热释电系数表达式, 并详细讨论了陶瓷体积分数 v2和陶瓷颗粒粒径与膜厚比(G/t)分别对复合材料的热释电系数pc及pc/εc(εc为复合材料的介电常数)的影响。结果表明: 当G/t≥0.5时, 不同陶瓷体积分数复合材料的热释电系数pc均趋向于某个定值, 说明此时G/t对热释电系数的影响可忽略不计; 另外当陶瓷体积分数为0.1时, 随着G/t的增大, pc /εc出现一个极大值, 且当G/t=0.9时, pc /εc比纯PZT陶瓷的大8倍, 表明此条件为最佳工艺条件。而且, 在低陶瓷体积分数和低G/t比时, 理论曲线与实验数据符合较好。 相似文献
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退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550~950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5 V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA/mm2. 相似文献
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液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。 相似文献
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对(1-x)PbTiO2+xPb(Cd1/3Nb2/3)O3系压电陶瓷进行了研究实验结果指出 ,当x=0.14时掺入适量的改性加物NiO2,MnO2,WO3,经过适当的工艺过程,可得到压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料,其中,材料的居里温度TC〉400℃,机械品质因数Qm〉2000,机电耦合系数Kt可达0.45,介电常数ε小于210,是一种很有前途和高温同频压电陶瓷材料。 相似文献