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铁电薄膜热释电非致冷红外传感器研究 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了铁电薄膜热释电非致冷红外传感器的工作原理,对铁电薄膜材料的要求及sol-gel铁电薄膜电性能。研究了BST铁电薄膜红外传感器的制备工艺与测试方法。研制出单元和8元、9元、10元线列铁电薄膜热释电非致冷红外传感器。 相似文献
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MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响 总被引:9,自引:0,他引:9
MnO对Pb_(1-x)Sr_x[(Sb_(1/2)Nb_(1/2))_yTi_(1-y)]O_3改性钛酸铅压电陶瓷兼有“软性”和“硬性”改性作用。实验表明,添加适当的MnO可以得到介电常数εr=240,机电耦合系数是kt=248.5%,机械品质因数Qm=1500,居里温度Tc=435℃的高稳定性压电陶瓷材料。该材料在高温及高频器件的应用方面有重要的应用价值。 相似文献
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采用传统固相法制备(Na0.82K0.18)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷粉体,将质量分数5%的乙基纤维素溶入到质量分数为92%的松油醇中配制粘合剂溶液,加入质量分数2%的二乙二醇丁醚醋酸酯作分散剂,质量分数1%的邻苯二甲酸二丁酯作增塑剂,将陶瓷粉体与粘合剂溶液按3:1的质量比混合碾磨,用320目筛印刷至带有Pt电极的氧化铝衬底上,经放平、烘烤、预烧、加压及烧结后,制备出厚度约40 μm的BNKT厚膜,平均晶粒尺寸为1.1 μm,介电常数也达到最大为782,损耗最小为3.6%(10 kHz),剩余极化为24.8 μC/cm2矫顽场为71.6 kV/cm,纵向压电系数为79 pC/N. 相似文献
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热释电非制冷红外焦平面现状及发展趋势 总被引:3,自引:5,他引:3
一维和二维阵列的热释电非制冷红外焦平面非常适合应用于热成像.混合式的BST铁电探测器降低了成本,市场潜力巨大.分析了热释电非制冷红外焦平面阵列探测技术的优势,介绍了热释电非制冷红外探测器工作原理及热释电非制冷红外焦平面阵列对探测材料的要求,指出了混合式及单片式热释电非制冷红外焦平面阵列发展趋势.制备高一致性和高性能的大阵列的探测元是发展非制冷红外焦平面的关键,针对我国在热释电非制冷红外焦平面阵列研究方面存在的问题,提出了下一步研究的方向及重点. 相似文献
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为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol%Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的Tmax值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料. 相似文献
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多工位PTCR自动耐电压测试仪 总被引:1,自引:0,他引:1
为克服目前PTCR生产中耐电压测试仪的各种缺点,研制了多工位PTCR自动耐电压测试仪。采用PC机、智能化仪表及各种外围接口电路,实现了PTCR耐电压性能的高效测试。 相似文献