首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   106篇
  免费   7篇
  国内免费   10篇
工业技术   123篇
  2024年   1篇
  2023年   1篇
  2022年   2篇
  2021年   3篇
  2020年   2篇
  2019年   3篇
  2018年   2篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   3篇
  2014年   6篇
  2013年   8篇
  2012年   7篇
  2011年   2篇
  2010年   11篇
  2009年   14篇
  2008年   7篇
  2007年   5篇
  2006年   12篇
  2005年   6篇
  2004年   6篇
  2003年   2篇
  2002年   2篇
  2001年   1篇
  2000年   4篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1990年   1篇
  1989年   2篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1982年   1篇
  1979年   1篇
  1978年   1篇
排序方式: 共有123条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
中国南方地区广泛分布的酸性红壤严重影响植物的正常生长.针对此问题,以水泥掺量为0.1%、1%、2%、3%、4%的红壤为研究对象,开展了水泥对红壤pH值影响试验和盆栽种植试验.水泥对红壤pH值影响试验结果表明:红壤pH值随着水泥掺量的增加而增加,并随养护时间增加,pH值不断减小.养护28 d后,水泥掺量每增加1%,红壤pH值增加0.75.盆栽种植试验研究表明:当水泥掺量为0.1%时,狗牙根发芽率和生长高度表现最好,随着水泥掺量的增加,狗牙根发芽率降低,生长高度不断减小.水泥掺量每增加1%,狗牙根发芽率减少12.63%,狗牙根生长高度排序为:0.1%>1%>2%>3%>4%.  相似文献   
2.
介绍了交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响,重点分析了亚微米CMOS集成电路中交流应力下的热载流子效应、电迁移、栅氧化层介质击穿效应。通过与直流应力下器件可靠性的对比,分析交流信号与直流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性影响的差异。  相似文献   
3.
I:We learn that England1 has added a new level of statutory planning to its planning system,which is the neighbourhood plan.Could you explain a bit about it?我们了解到英格兰最近新增一项法定规划——邻里规划。您能否为我们介绍一下邻里规划的来龙去脉?  相似文献   
4.
克劳斯法是硫磺回收工艺中的重要方法之一,本文为传统克劳斯方法、超级克劳斯硫回收和超优克劳斯硫磺回收方法工艺做了对比介绍,并对最新的超优克劳斯法应用前景进行了展望。  相似文献   
5.
采用正交设计方法对望峰岗煤矿巷道锚喷加固方案进行优化,得出加固优化方案,此方案对巷道塑性区、位移都有一定程度的抑制,而且使巷道周边围岩卸荷区所承受的应力有所增高,应力增高区和集中应力区的应力下降,更有利于巷道的稳定,发挥围岩的自承载能力.  相似文献   
6.
21世纪被称之为信息时代,作为信息传播的媒体工作者,其一言一行都左右着整个信息的导向,统一、规范、准确的文字描述,是媒体工作者们必须具备的素质之一,作为承担着培养媒体工作者的各大高校,专业写作的教授应该是其讲授课程的重中之重,传媒专业电视写作课程的改革也成为必然趋势。  相似文献   
7.
天然油脂型加脂剂研究概述   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘浪浪  刘伦  刘军海 《西部皮革》2009,31(17):32-35
简要介绍了天然油脂加脂剂的种类、来源和各种性能,概述了天然油脂加脂剂的制备方法及其在皮革中的应用状况.  相似文献   
8.
刘伦才  王若虚 《微电子学》2004,34(4):407-410,417
概述了国内外新型RF/IF放大器的产品性能和技术特点。结合电子系统使用环境,介绍了低噪声宽带放大器、运算放大器及比较器、中视频放大器、模拟乘法器等模拟集成电路的国内外发展动态。  相似文献   
9.
在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.  相似文献   
10.
设计了一种高速低功耗的欠压锁定电路。在迟滞比较器的输出级采用轨对轨输入共源放大器电路,检测VUVLO由高电平跳变为低电平的过程,自适应地控制输出级的尾电流源大小,以减小输出建立时间,使得后级电路能够快速响应电源变化。基于华虹0.35 μm BCD工艺进行设计与仿真,结果表明,在输出级的尾电流大小为1.3 μA时,相比传统电路,该电路能减少30%的输出建立时间。这不仅降低了功耗,还提高了电路响应速度。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号