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固相反应法制备 Ce:LuAG透明陶瓷 总被引:3,自引:0,他引:3
以Lu(NO3)3和NH4HCO3为原料,采用沉淀法制备了平均粒径约为40nm的Lu2O3粉体,以该粉体和市售的Al2O3、CeO2超细粉体为原料,采用固相反应工艺,经1760℃真空烧结10h,制备出透明的Ce:LuAG陶瓷,该透明陶瓷在可见光范围内的透过率为56%,X射线激发下的发射光谱为Ce^3+的特征发射,范围在470-650nm,和同类单晶的光谱一致,正好在硅光电二极管的高敏感曲线范围内,满足于闪烁体的性能要求,是一种有应用前景的闪烁材料. 相似文献
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以Sr2CO3、Si3N4和Eu2O3为原料, 以C为主要还原剂, 采用碳热还原氮化工艺合成Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉, 着重研究了C、Sr2CO3添加量及Eu2+浓度对产物物相及发光性能的影响。研究结果表明: 当C与Si3N4的摩尔比 nc/
=9/5时,合成出Sr2Si5N8:Eu2+单相荧光粉, 添加适当过量的Sr2CO3可提高合成产物的N含量, 且荧光粉的发光强度与其N含量呈现正相关关系。在450 nm蓝光激发下, 受Eu2+的4f65d1 → 4f7跃迁作用, Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉在550~700 nm波段范围产生非对称宽带发射。随着Eu2+掺杂浓度由1.5mol%增加到20mol%, 荧光粉的发光强度先增强后减弱, 达到2mol%时发生浓度淬灭现象; 发射主峰由608 nm逐步红移至641 nm; CIE色坐标从(0.606, 0.393)位移至(0.656, 0.343), 是一种可用于白光LED的优质红色荧光粉。 相似文献
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以AlN、Al2O3、Dy2O3为原料,采用高温固相反应法在1900℃、5MPa氮气气氛条件下合成AlON:Dy3+荧光粉,研究了Dy3+掺杂离子浓度对荧光粉的物相组成和发光性能的影响。结果表明:当Dy3+掺杂浓度较低时(x=0.005~0.100)合成纯的AlON相,随着Dy3+掺杂浓度的增大(x=0.125~0.250),出现微量的DyAlO3相。该荧光粉在354nm处有最强激发,其在354nm激发下呈现3个发射峰,分别位于蓝光483nm(19F9/2→6H15/2)、黄光578nm(19F9/2→6H13/2)和红光670nm(19F9/2→6H11/2),其中在578nm处黄光为最强发射。随着掺杂离子Dy3+浓度的增大,其激发峰和发射峰的强度均表现出先增大后减小的变化规律,其中当x=0.050时,发射强度最高。 相似文献
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高温固相反应工艺制备AlON粉体 总被引:1,自引:0,他引:1
以Al2O3和AlN为原料, 在氮气气氛下通过高温固相反应工艺合成氮氧化铝(AlON)粉体, 借助XRD分析系统研究了反应温度、保温时间及原料配比等工艺参数对反应产物相组成的影响并探讨了反应机理. 研究结果表明:该反应主要受热力学控制, 动力学因素也具有重要作用, 反应温度和保温时间对AlON粉体的合成均具有重要影响. 在相对较低的反应温度下, 通过AlN固溶进入Al2O3晶格形成富氧(O-rich)的AlON相; 在相对较高的反应温度下, 产物中少量残余的AlN通过进一步扩散固溶进入O-rich-AlON晶格形成富氮(N-rich)的AlON相(N-rich-AlON); 在1950℃时, 合成单相的AlON粉体. 相似文献
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开展了光转换薄膜用碳量子点的合成及其发光性能研究,着重探讨了氮(N)源种类对碳量子点发光性能的影响。结果表明,以尿素为N源时,合成出发射峰值位于440~530 nm范围的具有不同颜色特征的碳量子点。而以二乙烯三胺为N源时,合成出发射峰值位于450~460 nm的蓝光N掺杂碳量子点;随着激发波长的增大,碳量子点的发射光谱产生红移。采用不同N源时所合成碳量子点的发光特性差异,主要源于碳量子点晶粒尺寸的不同和表面官能团的化学修饰作用,后者填补了碳量子点的表面缺陷、或使碳量子点的带隙产生了差异,进而导致了不同的发光特性。 相似文献
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介绍了冷却单元铝管 铝管板胀接结构的连接强度和耐压性能的实验 ,提供了初步的研究结果。为进一步认识胀接特性 ,修改设计规范有关条款提供了依据 相似文献
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Nanosized cerium-doped lutetium aluminum garnet (LuAG:Ce) phosphors were prepared by nitrate-citrate solgel combustion process using 1:1 ratio of the citrate:nitrate. The prepared LuAG:Ce phosphors were characterized by XRD, TEM, photoluminescence and radioluminescence spectra excited by UV and X-ray, respectively. The purified crystalline phase of LuAG:Ce was obtained at 900 ℃ by directly crystallizing from amorphous materials. The resultant Lu- AG:Ce phosphors were uniform and had good dispersivity with an average particle size of about 30 urn. Both photoluminescence and radioluminescence were well-known Ce^3+ emissions located in the range of 470 -600 nm consisting of two emission bands because of the transition from the lowest 5d excited state (2D) to the 4f ground state of Ce^3+, which matched well with the sensitivity curve of the Si-photodiode. There was a little red shift for the emission components from the UV-excited emission spectrum to the X-ray-excited emission spectrum. The fast scintillation decay component of 26 ns satisfies the requirements of fast scintillators. 相似文献