封接工艺对玻璃与可伐合金结合性能的影响

采用正交试验方法研究了封接工艺对玻璃与可伐合金结合性能的影响。利用电子万能实验机和金相法分别测试了封接件的剪切强度和显微组织。结果表明：在封接工艺过程中，封接气氛(N2流量)是最主要的影响因素。封接温度次之，封接时间的影响最小。     

电接触与电接触材料(五)

介绍了电接触中α-斑点温升计算的基本方程,指出收缩区内(r~a)温升达至稳态的时间常数与材料热性能及斑点半径有关;在假设电接触材料的热导率及电阻率不随温度变化以及电接触材料的外表面为与外部环境无热交换的条件下,得出电接触附加温升的简单计算式,此时电接触温升只与材料的物理性质有关,而与尺寸形貌无关。重点介绍了考虑温度对电阻率及热导率影响时的V_T关系式,讨论了α-斑点附近温度场的计算结果。     

印刷电子领域的高分辨导电布线技术

综述了印刷电子领域的高分辨导电布线的研究现状,具体分析了目前印刷电子领域中实现高分辨导电布线的有效途径以及影响印刷分辨率的重要因素。     

晶化时间对BaO-Al2O3-SiO2微晶玻璃相转变和热膨胀系数的影响

用X射线衍射、差示扫描量热法和热膨胀系数测试研究了BaO-Al2O3-SiO2(BAS)系微晶玻璃的不同晶化时间对其相组成和热膨胀系数的影响.结果表明:在850 ℃,BAS玻璃快速晶化析出六方钡长石;随着晶化时间的延长,六方钡长石逐渐向单斜钡长石转变;当晶化时间为24 h时,六方钡长石完全转变为单斜钡长石.微晶玻璃的相组成与热膨胀系数的关系近似满足两相模型,可通过改变晶化时间来控制相组成,方便的获得热膨胀系数在(4～8.75)×10-6/℃范围内可调整的BAS系微晶玻璃.     

Ag／SnO2（G）触点材料在开关上的应用及失效分析

介绍了应用新型触点材料Ag／SnO2（G）的KDC－A04推推式电源开关的电寿命试验情况。试验结果表明，应用Ag／SnO2（G）10触点材料装配的KDC－A04开关的TV－8电寿命试验达到30050次，超过美国UL有关试验标准。对服役后的触点进行了失效分析，指出ho。改性和改善Ag与SnO2之间的浸润以提高银熔池溶液的粘度可提高Ag／SnO2触点材料的综合性能。     

AlSiC电子封装材料及构件研究进展

AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.     

AgMeO触点材料电弧侵蚀的物理冶金过程分析

本文报ＡｇＭｅＯ触点材料电弧侵蚀机理，对电弧的热力作用下触点材料的各种响应从物理冶金本质角度进行全面研究，在此基础上对ＡｇＭｅＯ触点材料组元和组织的优化设计作了完整的分析，提出优化设计判据，最后提出能充分表征触点材料电气使用性能的材料物理性能参数。     

氧化铝陶瓷的低温钼金属化研究

采用BaO-Al2O3-SiO2（BAS）微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,在氧化铝陶瓷表面低温烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度及BAS含量对样品抗拉强度的影响,讨论了金属化机理。结果表明：以BAS微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,可在1500~1550℃烧成Mo金属化层,金属化层致密,连接样品的抗拉强度大于260 MPa。     

片状导电填料对银碳浆方阻和流变性能的影响

在选定粘结剂体系的基础上,制备了不同片状银粉含量的银碳浆。分别测试了浆料固化膜的导电性能、浆料的黏度曲线、应变扫描曲线和频率扫描曲线,以表征分析片状银粉含量对银碳浆性能的影响。结果表明随片状银粉所占比例的增加膜层方阻呈指数递减;不同片银含量的银碳浆均表现出剪切变稀行为,随片状银粉所占比例的增加浆料在低剪切下的黏度降低;碳浆、银碳浆的线性黏弹区范围基本一致,但银碳浆流动点较碳浆小,流动性较好;银碳浆相对碳浆具有更好的贮存稳定性,印刷适性更佳。     

银合金钎料对银触点钎着率影响的研究

以H85黄铜触桥和AgSnO2/Ag触点银层为焊接母材,两种银合金粉末为银合金焊膏的钎料,采用力学性能、金相显微镜、扫描电镜(SEM)和热分析等方法,研究Ag-20Cu-15Zn银合金钎料的粒径和含量,以及Ag-22Cu-17Zn-5Sn钎料对母材焊接钎着率的影响。结果表明,Ag-20Cu-15Zn钎料粒径为45~75 μm、含量为60%时焊接钎着率最好,为95.35%;钎料中Sn的加入,使银合金钎料的熔化温度降低60℃,焊接过程中银合金焊膏的流动性增强,对提高焊接钎着率有利。