硅表面纳米图案化制作技术的研究进展

Si材料表面形成纳米化图案是制作新型硅基纳米电子器件、光电子器件等的基础和前提.根据不同需要,在纳米图案化Si衬底表面淀积不同功能纳米材料则能将成熟Si平面工艺技术的优势与纳米材料的新功能优势结合起来而制作出性能优良的Si基纳电子和光电子器件.介绍了具有纳米图案化表面Si材料在晶格失配较大Ⅲ-Ⅴ族材料外延制备上的应用,综述了各种Si衬底材料表面纳米图案化制作技术.     

高原湿地公路软基处理及监测分析

通过对集丰高速所经过的黄旗海湿地地质勘察及地基软土工程性质的分析,在对湿地保护、高速公路投资等因素考虑的基础上,按照软基处理的基本原则和要求,综合考虑实际情况,给出了采用碎石桩复合地基处理高原湿地软基的方案,经监测地基沉降量小,满足规范要求,保证了工程质量,保护了高原湿地的地态环境。     

亚45 nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择

随着45nm技术的临近，减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅，二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外，沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此，需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时，分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类，指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。     

苯酚类毒物的毒性研究

文章应用生物法 (大型蚤 )测试了一系列苯酚取代物的急性毒性值 ,LC50(48h) ,并对测试结果作了定量构～活关系 (QSAR)分析。证明取代物的毒性按下列顺序减小 :-CH3 > -X>-OH> -NH2 > -NO2>> -OH(苯酚)     

基于变密度稀疏采样的微波辐射干涉测量反演成像方法

针对微波辐射干涉测量在频域中进行测量值具有低频信息较少、高频信息丰富,且低频信息和高频信息分布比较集中的特点,提出了一种基于变密度稀疏采样的微波辐射干涉测量方法.该方法将测量的频域信息进行分块,根据不同块所包含信息量的不同,利用变密度进行稀疏采样.考虑微波辐射图像本身具有的梯度稀疏性和局部光滑性特征,建立全变差正则化约束的成像模型,并采用交替迭代算法进行微波辐射图像最优重构.仿真和实验结果表明,结合变密度稀疏采样方法和交替迭代重构算法能够快速、准确地反演高分辨率微波辐射图像;在总采样率相同的情况下,该方法能够大幅度提高反演图像的分辨率,且对低采样率情况效果显著.     

低压电源电磁干扰及浪涌综合防护装置研究

简述了低压电源电磁干扰及浪涌综合防护装置的原理 (包括浪涌抑制、射频干扰滤波、电压箝位、高频干扰滤波等 4个环节 )、抗差 (共 )模干扰试验和仿真分析、以及插入损耗测试。仿真与试验波形虽有差异 ,但均表明该装置能有效抑制差 (共 )模干扰     

数字通信用水平对绞电缆屏蔽结构型式的讨论

随着局域网通信传输速率的提高,传输介质必须使用屏蔽型数字通信用水平对绞电缆。目前使用的屏蔽数据通信电缆通常为单层或双层铜丝编织结构,生产效率低,成本高。本文从理论及实践出发,说明采用铝塑复合带和稀疏编织的铜丝网等组合屏蔽结构,可以提高生产效率、降低成本,而且具有较好的屏蔽效能。     

纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术

应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术,并对弛豫SiGe层中应变测量技术进行了简单的介绍,以期推动应变硅技术在我国芯片业的应用。     

高失配半导体薄膜材料的纳米异质外延新技术

纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线,随着超大规模集成电路纳米图样加工技术的进步,它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料中发挥巨大的作用。详细地综述了纳米异质外延技术的原理,介绍了纳米图样制作技术并展示了运用纳米异质外延技术在Si(111)衬底上实现高失配GaN(失配度为20%)薄膜材料及在Si(100)衬底上实现InP薄膜材料的高品质单晶外延生长。     

苯酚类毒物的毒性研究

文章应用生物法测试了一系列苯酚取代物的急性毒性值,ＯＬ５０（４８ｈ）,并对测试结果作了定量构－活关系分析,证明了代物的毒性按下列顺序减小：－ＣＨ３〉－Ｘ〉－ＯＨ〉－ＮＨ２〉－ＮＯ２〉〉－ＯＨ（苯酚）。