DKDP晶体中包裹体

利用显微技术观察了DKDP晶体中包裹体形态，并测量了其相应尺寸。结果表明，在DKDP晶体中存在3种不同形态的包裹体，其形成机制各不相同。最后对包裹体进行了成分分析。     

用热力学理论对热释电晶体TGS的改性研究

从热力学德文希尔理论出发，指出关系Ｐ／χ＝Ｐｓ／Ｃ可作为提高铁电晶体的热释电材料优值Ｍ（Ｐ／ε）的一条途径，即通过提高其自发极化强度Ｐｓ来提高其材料优值Ｍ（Ｐ／ε），并生长出了用大极性分子尿素改性的ＴＧＳ晶体－ＵＴＧＳ、ＤＵＴＧＳ、ＬＵＴＧＳ和ＤＬＵＴＧＳ．测试结果表明，这些晶体的自发极化强度Ｐｓ和材料优值Ｍ（Ｐ／ε）均比纯ＴＧＳ有显著提高．     

《DKDP晶体的亚稳四方相生长》

在这篇论文中,作者测量了DKDP晶体的过饱和溶液的亚稳区和亚稳四方相生长区域,这些结果表明,在单斜相稳定区域中,存在着相当宽的亚稳四方相生长区,(20～30℃),因此可以用降温法在该区域中生长出光学质量好的四方DKDP大晶体。     

美国第16届晶体生长及外延会议

美国第16届晶体生长及外延会议于2005年7月10-15日在蒙托纳州Big Sky召开。该会议由美国晶体生长学会主持召开。公司和大学给予资助。该会议是几年来规模最大的一次，有来自美、英、法、德、俄、加、日、中国等十几个国家400余名科技工作者参加。会议报告共282篇，其中邀请报告占到三分之一，会议大字报96篇，这些会议报告反映了近年来国际上在晶体材料及相关功能材料领域最新研究成果和发展动态。     

掺杂均匀ATGSAs单畴晶体的生长

通过观察晶体的畴结构和测量晶体的铁电,热电,介电性能,确定了ATGSAs 晶体的畴结构,性能和生长条件之间的关系,并利用定向生长技术,成功地培育出了大面积掺杂均匀的 ATGSAs 单畴晶体,已用来制出高质量的热释电摄象管和探测器。     

一种新的热释电晶体——TGSP性能研究

在TGS晶体中,以磷酸部分地取代硫酸,便得到一种新的热释电晶体——TGSP晶体.对不同含磷量的TGSP晶体的介电参数及热释电系数进行测量的的结果表明,适当含磷量的TGSP晶体,其介电性能与TGS晶体的相近,但热释电系数却得到很大的改进,是一种有前途的供热释电红外探测器使用的新材料.     

两种TGS晶体在低温下的热电和介电性

测量了TGS、ATGSP两种晶体在室温至20K温度范围内的介电常数K_(22)和热电系数p_2。这两种参数都随温度降低而单调下降,不显示相变的迹象。在此范围内的任一温度,ATGSP的热电系数p_2和优值p_2/K_(22)均较TGS的大。优值p_2/K_(22)随温度下降而减小,与自发极化的温度特性不相一致。     

优质硒酸三甘氨酸单晶的生长和性质

研究了TGSe 单晶原料合成条件,发现硒酸中的少量亚硒酸是溶液中析出硒的根源。利用H_2O_2处理含亚硒酸的溶液,可使其全部转化成硒酸。还报导了TGSe 优质单晶的生长条件和它的介电、热电性能。在使用温度低于15℃条件下,它是一种优于TGS 的良好材料。     

斜切ATGSP晶体的电压响应优值

本文报导了 ATGSP 晶体的三个主介电常数和热释电系数的测量结果;计算了不同斜切角度下的电压响应优值 M;研究了 M 值随温度的变化规律。实验结果表明,采用斜切方式的 ATGSP 晶体热释电探测器件可以提高电压响应优值。