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针对机械品质因数特别低的压电陶瓷材料,提出了一种测量机电耦合系数和机械品质因数的方法,并用来测定了PbNb_2O_6陶瓷的材料参数。在这个方法中,利用低频阻抗分析仪(HP—4192A型)测量压电振子的阻抗随频率的变化,画出导纳圆图,由导纳圆图得出所需的振子参数,然后计算出径向伸缩振动的机电合系数k_p和机电械品质因数Q_m。对于厚度伸缩振动模式,由与上述径向仲缩振动模式相同的步骤得出机械品质因数,并由泛音比法计算机电耦合系数k_s,所需的泛音及基音频率仍然由低频阻抗分析仪测定。 相似文献
2.
首次用Czochralski法生长了大尺寸的Li_(0.12)Na_(0.83)NbO_3单晶。介电测量,电滞回线及X光衍射表明,该晶体在(20±1)℃出现铁电—铁电相变。高温相及低温相的点群分别为4mm和mm2。在相变温度,介电常数ε_(11)及ε_(33)出现反常,自发极化方向不发生变化。这个发生于20℃的铁电—铁电相变表明该晶体在室温附近有大的热释电系数,热释电应用是该晶体的潜在应用之一。 相似文献
3.
钟维烈 《山东大学学报(理学版)》1983,(2)
用中子衍射方法对KDP,DKDP,RbDP、DRbDP及LHP进行了晶体结构分析,给出了这类晶体中氢(氘)键的几何结构,发现四面体PO_4的转动是分析这类晶体对温度及静水压的响应时必须计及的重要因素。对于部份氘化的氢键,提出了将氢及氘原子分别处理的新的计算方法。在LHP中,测量了氢的有序化程度随温度变化的曲线,该曲线与自发极化的温度关系很好地符合。 相似文献
4.
提出了纯金属电阻率的两个简化模型：一个统计模型，一个电子一声子耦合模型。由统计模型可得出：纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比。由电子－声子耦合模型得出：电子的散射几率不仅正比于声子数，而且正比于电子－声子的耦合强度。由这两个模型皆能得出纯金属电阻率在高温时与温度Ｔ成正比，低温时与Ｔ５成正比的结果。由电阻率—温度曲线的比较表明，两模型相当吻合。 相似文献
5.
在１０Ｋ～３００Ｋ温度范围内研究了Ｂａ２ＴｉＳｉ２Ｏ８和Ｓｒ２ＴｉＳｉ２Ｏ８极性玻璃陶瓷的个电和热释电性．Ｂａ２ＴｉＳｉ２Ｏ８玻璃瓷的室温热释电系数达到－７．０×１０－６Ｃ／ｍ２、Ｋ，具有良好的低温热释电性．含ＳｒＴｉＯ８结晶的Ｓｒ２ＴｉＳｉ２Ｏ８极性玻璃陶瓷的室温热释电系数仅为－１．８×１０－７Ｃ／ｍ２·Ｋ，而且其绝对值在１００Ｋ以下较快地变小，并在４０Ｋ以下出现正值，它可能是由于ＳｒＴｉＯ８结晶发生结构相交的结果． 相似文献
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7.
阳离子的电荷和半径对充满型钨青铜结构铌酸盐单晶生长和某些性质的影响 总被引：1，自引：0，他引：1
以碱金属,碱土金属,第一过渡族金属和稀土金属离子混合填无钨青铜铌酸盐的 A 位,使之构成 A 位充满型结构。用 Czochralski 法生长晶体。讨论了不同电荷及半径的离子对晶体生长习性,介电特性及居里点等的影响,比较不同的离子对晶体极化的稳定作用. 相似文献
8.
在500Hz 至13MHz 的频率范围内,测量了Cd_(0.03)Sr_(0.485) Ba_(0.485)Nb_2O_6晶体的新鲜试样以及经过强交流电场处理的试样的介电谱。结果表明,新鲜晶体试样中存在低频弛豫机构,经过强的交流电场处理后这一弛豫机构消失,而且晶体的交流电导率也降低一个数量级。我们还研究了偏置电场对介电常数温度依赖性的影响,发现偏置电场使介电常数呈现极大渔的温度Tm向高温方向移动,而且使Tm附近介电常数的值减小。前者可由扬致相变加以解释,后者表示此晶体的铁电-顺电相变可能是二级的。另外,实验结果表明,在本工作的测试范围内,偏置电场对本晶体相变的弥散性没有影响。 相似文献
9.
在5×10~2Hz 到5×10~8Hz 频率范围内测量了 Tb 改性的铌酸锶钡(SBN)晶体的室温介电常数,并以1×10~4Hz 的频率测量了这些介电常数从室温至居里温度以上的变化。对于 c 轴和 a 轴介电常数,都观测到了介电弛豫,但 c 轴介电弛豫频率明显低于 a 轴介电弛豫频率。对于不同的组份来说,介电弛豫频率随居里温度降低而降低。这些晶体的铁电—顺电相变是弥散性的,弥散程度随Tb 含量的增加而增高。 相似文献
10.
Ｂａ３ＮａＬａＮｂ１０Ｏ３０晶体具有四方钨青铜型结构，室温时的空间群和点群分别为Ｐ４／ｍｂｍ和４／ｍｍｍ，晶格参数ａ＝ｂ＝１２．４７１２Ａ，ｃ＝３．９３５０Ａ．介电、铁电等测量结果表明，该晶体在２８０Ｋ附近有一弥散性很强的铁电一顺电相变，其弥散性指数γ＝１．８．低温２００Ｋ时的ＸＲＤ显示它的低温相为四方相，点群为４ｍｍ点群． 相似文献
