高选择性NH3敏元件

以化学沉淀法制备的ＷＯ３微粉作为气敏基体材料，以Ａｕ２Ｏ（或ＨＡｕＣｌ４）及ＮＨ４ＶＯ３为主要掺杂剂制成的气敏元件对ＮＨ３具有较高的灵敏度和优良的选择特性     

气－热复合敏感元件的理论分析

本文从理论上分析了热敏元件对气敏元件的温度补偿原理，指出了构成低温漂复合元件分立元件需要满足的条件，阐述了实验上的可行性。     

NO_x对掺杂贵金属的SnO_2气敏元件特性的影响

本文报道了掺杂Ｐｄ和Ｐｔ等贵金属的ＳｎＯ＿２气敏元件置于ＮＯ＿ｘ气氛中，灵敏度发生明显下降的现象。分析认为，其主要原因是元件中的贵金属受到了ＮＯ＿ｘ污染．ＸＰＳ分析表明，污染后的Ｐｄ３ｄ＿（５／２）已确有化学位移。     

低电压并五苯薄膜场效应晶体管

利用全蒸镀法, 以并五苯作为有源层, 聚甲基丙烯酸甲 酯（PMMA）作为绝缘层, 制备了全有机薄膜场效应晶体管（TFT）. 测试结果表明, 器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率. 对工作机理进行了探讨.     

石英谐振式NH3敏元件

以在ＡＴ切型，Ａｕ做电极的石英振子上涂覆适当厚度的Ｌ（＋）抗坏血酸为敏感膜，制作气敏元件。实验表明，该元件对微量ＮＨ３（＜３．３×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ）具有很高的频率响应和灵敏度；对８．２×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ的Ｈ２，ＣＯ，ＣＨ４，Ｃ４Ｈ１０及８．２×１０＾－７ｍｏｌ／ＬＨ２Ｓ感度很低，有很好的选择性。     

NOx对掺杂贵金属的SnO2气敏元件特性的影响

本文报道了掺杂Ｐｄ和Ｐｔ等贵金属的ＳｎＯ２气敏元件置于ＮＯｘ气氛中，灵敏度发生明显下降的现象，分析认为，其主要原因是元件中的贵金属受到ＮＯｘ污染，ＸＰＳ分析表明，污染后Ｐｄ ３ｄｓ／２已确有化学位移。     

石英谐振式NH_3敏元件

以在ＡＴ切型，Ａｕ做电极的石英振子上涂覆适当厚度的Ｌ（＋）抗坏血酸为敏感膜，制作气敏元件．实验表明，该元件对微量ＮＨ３（＜３．３×１０－６ｍｏｌ／Ｌ）具有很高的频率响应和灵敏度；对８．２×１０－５ｍｏｌ／Ｌ的Ｈ２，ＣＯ，ＣＨ４，Ｃ４Ｈ１０及８．２×１０－７ｍｏｌ／ＬＨ２Ｓ感度很低，有良好的选择性．     

γ-Fe_2O_3/LaFeO_3复合选择性丁烷气敏元件的研究

本文根据补偿原理制作了γ-Fe_2O_3/LaFeO_3复合气敏元件,测量了该元件的气敏特性。由于p型LaFeO_3元件对n型γ-Fe_2O_3元件的补偿,有效地抑制了乙醇的干扰,改善了对丁烷的选择性。     

掺杂剂与ZnO材料的气敏特性

本文报导了金属氢化物BeO,Tl_2O_3,Y_2O_3,ZrO_2在ZnO材料中的掺杂行为及其对ZnO材料气敏性能的影响.