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该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜，并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明，TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明，TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下，剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明，在经过2.3×108循环次数后，以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试，TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明，金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴，将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管 相似文献
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系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理，重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、目前所研究的主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能．并介绍了关于FeFET研究的一些最新的进展如基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的一些最新研究成果．最后对FeFET的未来研究发展趋势作出一些展望． 相似文献
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有机柔性电子器件具有低制造成本、大面积、可柔性折叠等优点，是近年来国内外学术界和工业界的研究热点。有机非易失存储器是一种重要的有机柔性电子器件。本文阐述了浮栅型有机非易失性存储器件的工作原理；系统介绍了当然国内外学术界对浮栅型有机非易失性存储器的研究进展，存在的一些问题以及一些可能的解决对策。 相似文献
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分布集中式微分测深数据采集系统 总被引：3，自引：2，他引：1
根据微分测深原理及分布集中式微分测深观测系统的特点 ,分析了自行研制的分布集中式微分测深仪的主机与多台从机的通讯、高接地电阻影响的消除、工作频率的选择依据等关键技术的解决方案以及整机的软、硬件结构 .结果表明 :在地球物理勘探中 ,该系统中的主从分布式多机通讯技术适用于双频、多频激电仪等电法仪器 ,具有一定的实用价值 相似文献
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