标记化合物、自旋标记试剂和位移试剂

1.定义以同位素原子置换化合物中的原子,就象加上一种标记一样,故称为标记化合物。标记时可以使用放射性核也可以使用稳定性核,可以用其中一种核,也可以用几种核,也可以混合使用。例如甲醇的标记化合物有:~(14)CH_3OH、CH_2DOH、CT_3OH、~(13)CD_3OD、~(14)CH_3~(18)OH(其中D为氘,T为氚)。除同位素效应这种特殊情况不能忽略外,标记后的化合物一般可认为其化学性质不发生变化。另一方面,标记的周位素,利用其某种物理性质,可极其灵敏地被检出,含量极微时也能定量测定。放射性标     

用水平连铸机生产的不锈钢园钢坯的质量

安装在神户的钢铁企业中的单流水平连铸机承担了不同种类的不锈钢试验工作。由于应用了在结晶器中搅拌、高的推拉频率拉拔和最适宜的分离环尺寸,使得通常所说的表面冷隔有所减少。在结晶器中和最后凝固区应用了组合的电磁搅拌,达到扩大等轴晶宽度和减少中心偏析的日的。这些连铸坯在轧制后显示了良好的质量。     

金属膜生物反应器运行参数的优化研究

采用正交试验法对浸没式平板金属膜生物反应器(MBR)进行运行参数的优化研究。试验选择抽停时间比、曝气量、反洗频率与反洗水量等4个参数为因素,使用膜操作压力变化率K进行评价,结果表明各参数对膜过滤性能的影响为:抽停时间比>反洗频率>反洗水量>曝气量;优化运行参数为:抽停时间比6∶1,反洗频率2次/h,反洗水量2m3/(m2.d),曝气量10L/min。膜过滤阻力组成部分的测定表明,滤饼层阻力为膜阻力的主要组成部分,曝气量过大会导致膜内部污染的加剧。     

基于高速转盘法的剩余污泥可溶化处理

高速转盘法是作者等开发的一种新型的剩余污泥可溶化处理的物理方法,是一种经济实用的剩余污泥减量化、资源化的前处理工艺。实验采用自制的高速转盘对污泥进行可溶化处理,并对实验过程中污泥的可溶化机制、实验装置的结构及运转参数与污泥可溶化之间的关联特性进行了研究。结果表明：高速转盘所产生的流体剪切力是导致污泥可溶化的主要原因,同时,转盘与定盘之间的研磨作用和水解酶的酶促反应也对污泥可溶化起到了促进作用。研究发现：流体剪切力仅存在于距转盘微小距离的空间内对污泥微生物细胞进行破碎,而且足够大的转盘转速与足够高的污泥MLSS浓度才能产生高效的导致污泥可溶化的流体剪切力。在转盘转速为5000 r·min^-1,污泥MLSS浓度高于18000 mg·L^-1,处理45 min时,污泥的可溶化率(DOC/TOC)达50%以上。     

用阳离子表面活性剂在盐酸溶液中铂(Ⅱ)钯(Ⅱ)和金(Ⅲ)的离子浮选

用阳离子表面活性剂,研究了盐酸溶液中(1.1～96.9) μg/ml的铂族和金 (Ⅲ)的离子浮选行为。研究盐酸浓度和共存离子的影响,尝试了这些金属的分选、浓缩方面的应用。又测定了盐酸溶液中的铂(Ⅱ)、钯(Ⅱ)和金氯络合物的平均配位数,明确了溶液组成和浮选率的关系。     

利用高频PlasmaCVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性

研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 Ga N缓冲层 .热处理后的光致发光谱和 X光衍射表明 ,生长的 Ga N缓冲层为立方相 ,带边峰位于 3.15 e V.在作者实验的范围内 ,最优化的 TMGa流量为 0 .0 8sccm (TMAm=10 sccm时 ) ,XPS分析结果表明此时的 Ga/ N比为 1.0 3.这是第一次在高 / 比下得到立方 Ga N.相同条件下石英玻璃衬底上得到的立方 Ga N薄膜 ,黄光峰很弱 ,晶体质量较好     

利用高频Plasma CVD在蓝宝石衬底上生长 立方GaN缓冲层及其光学性质

研究了采用高频PlasmaCVD技术在较低温度下(300—400℃)生长以GaN为基的Ⅲ-Ⅴ族氮化物的可行性,在蓝宝石衬底上生长了GaN缓冲层.热处理后的光致发光谱和X光衍射表明,生长的GaN缓冲层为立方相,带边峰位于3.15eV.在作者实验的范围内,最优化的TMGa流量为0.08sccm(TMAm=10sccm时),XPS分析结果表明此时的Ga/N比为1.03.这是第一次在高Ⅴ/Ⅲ比下得到立方GaN.相同条件下石英玻璃衬底上得到的立方GaN薄膜,黄光峰很弱,晶体质量较好.     

使用阳离子界面活性剂浮选氢溴酸溶液中的金(Ⅲ)、铂(Ⅱ)、钯(Ⅱ)和汞(Ⅱ)离子

在此之前,著者曾报道过对氢溴酸中15种金属离子的浮选,但是并没涉及对金(Ⅲ)、铂(Ⅱ)、钯(Ⅱ)和汞(Ⅱ)离子的浮选,也没谈到金(Ⅲ)及铂(Ⅱ)的溶解成份。本文研究了在氢溴酸中的这些金属离子的浮选方法,浮选条件以及这些金属的溶解成份。     

MOMBE法生长重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As应变超晶格

,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,鹿岛秀夫,德光永辅,小长井诚 中文摘要 本文采用以TMG、固体In和固体As作为分子束源的MOMBE法,首次成功地生长了空穴浓度高达1×10~(20)/cm~3数量级的重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)应变超晶格(SLS)结构,用XRD、Raman、PL和Hall测量等方法分析了样品特性,讨论了结构参数对应变弛豫及SLS特性的影响,结果表明,所得样品不仅具有很高的空穴浓度,而且具有较窄的等效禁带宽度,可望用于GaAs系HBT基区的制作。