ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备

采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）．ＡＥＳ测量表明不同条件下生成的薄膜中Ｎ与Ｂ的相对含量是不同的，最大比例近乎为１：１，薄膜的维氏显微硬度ＨＶ最大值为１５８０ｋｇ／ｍｍ２。     

SrTiO3（110）上水热法外延生长PbTiO3薄膜

利用低温水热合成工艺，在一定浓度皆Ｐｂ（ＮＯ）３，ＴｉＣｌｒ的混合强碱性水溶液中，和在（１２０℃，０．２５ＭＰａ）的水热反应条件下，首次成功地在ＳｒＴｅＯ３单昌衬底上生长出具有面积构的ＰｂＴｉＯ３外延薄膜。     

CAD三维模型展开在国外水电站复杂体型施工中的运用探讨

大中型水电站的流道,由于受高速及大流量的水流冲刷,流道通常呈渐变流线型且体型复杂。本文描述了在隆潘卡尔水电站矩形喇\(正反圆弧)流线型进水口的钢筋混凝土结构施工中,运用了工程上最常用的Auto CAD软件生成了三维立体模型图,对模型的三维相贯线/面进行批量、快速、精准的展开,用于模板的制作、测量定位及安装,取得了良好的效果。     

后续热处理配合PLD制备铁电PZT薄膜及其工艺优化研究

利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积工艺在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制行了Ｐｂ（Ｚｒ５２Ｔｉ４８）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜。并用Ｘ射线衍射分析方法研究了不同后续热处理对薄膜相组成和相结构转变的影响。     

TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析

针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂,利用有限元法模拟封装脱模过程阐明了芯片碎裂失效的机制.研究表明,模具内表面有机物形成的局部沾污可能阻碍芯片的顺利脱模,导致硅片内产生较大的局部应力并碎裂失效.通过模拟在不同的沾污面积、形状和位置下的封装脱模,确认了最可能导致失效的条件.芯片碎裂失效可以通过使用高弹性模量的塑封料或减小硅片尺寸得以改善.     

苏州三星半导体封装工艺及产品可靠性保障体系

本文首先介绍苏州三星半导体的产品发展趋势和品质保障体系,着重阐述了四个关键封装工艺中的重要特性的管理方法和注意事项。然后介绍了产品可靠性实验的几个主要实验项目的实验目的、实验条件和要求。最后介绍了一些有关最新的无铅产品的可靠性保证方面的内容。     

Pb（Zr_（0．52）Ti_（0．48））O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积

用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理。ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现铁电性，其剩余极化Ｐｒ＝１５μｃ／ｃｍ￣２，矫顽电场Ｅｃ＝５０ｋＶ／ｃｍ；并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。     

Leakage behavior and distortion of the hysteresis loop in ferroelectric thin films

Leakage behavior and distortion of the polarization hysteresis loop in ferroelectric thin films are analyzed by applying a totally depleted asymmetric back-to-back Schottky model, with the Pt/Pb(Zr, Ti)O3/Pt ( Pt/ PZT/Pt) sandwich structural thin film capacitor as an example. Some interesting phenomena resulting from the asymmetric interfaces, such as the leakage current level, the flat-band voltage, the disclosure of the hysteresis loop, and the change in the remanent polarization and coercive field, as well as the vertical drift of the polarization hysteresis loop, are discussed in detail. The calculated results are also verified with experiments.     

高导电性BaRuO_3薄膜及其脉冲激光沉积

钌酸盐是典型的ＡＢＯ３型过渡金属氧化物，具有金属导电性，其薄膜可作为电极材料用于集成铁电等器件中。分析了ＢａＲｕＯ３的钙钛矿晶体结构和导电机制，并利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术，结合后续退火处理，在Ｓｉ（１００）衬底上生长出具有（１１０）取向、室温电阻率约１０－２～１０－３Ω·ｃｍ的ＢａＲｕＯ３高导电性薄膜，俄歇能谱（ＡＥＳ）和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）分析表明：薄膜ＢａＲｕＯ３的纯度高、成分均匀性好，ＢａＲｕＯ３／Ｓｉ界面存在扩散过渡层。