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Negative bias-temperature instability in silicon dioxide films grown by a rapid thermal processing has been investigated. Rapid thermal oxide metal-oxide-semiconduc!or(RTOMOS) structures have a lower negative bias-temperature instabllity(NBTI) than the furnace oxide MOS structures, although the former has a higher NBTI than the latter at room temperature if both do not receive a post-metallization annealing. The effects of the temperature and time during the post oxidation annealing in argon, the cooling race after a rapid thermal processing and the temperature of post metallization annealing in forming gas on NBTI were studied. The rapid thermal post-oxidation annealing in argon has an ability to reduce the NBTI degree of either rapid thermal oxide or furnace oxide. The post metallization annealing in forming gas at 360℃ can eliminate the NBTI introduced by radiation during metallization, but could not get rid of the NBTI introduced by a post oxidation processing in oxygen. In addition, a kinetics of the flat-band voltage shift was observed oa rapid thermal oxide MOS structures, which helps understand the mechanism on NBTI. 相似文献
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对称体微机械电容加速度传感器的结构设计 总被引:7,自引:0,他引:7
描述了一种用无掩各向异性腐蚀技术制造以称体微机械梁,质量块加速度传感器的结构,由于梁在质量块中心对称位置上,在结构上的消除了加速度传感器的横向灵敏度效应,在对四梁结构及悬臂梁结构加速度计灵敏度及固有频率进行分析的基础上,用灵敏度-频率积取优值的方法进行了加速计的结构参数优化,采用了一种新颖的微力微痊移天平测试方法。初步测量了加速度计结构的静态特性。 相似文献
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采取BESOI技术形成带真空腔的绝压式结构,利用凸型梁使形变膜的应力放大,研制出在电源电压5V时,具有输出灵敏度为257.4mV/10~5Pa的绝压式负压传感器芯片.其非线性度约0.1%,未加负压时,输出电压的温漂约400×10~(-6)/℃(FS). 相似文献
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微机械电容式加速度计的开环工作模式 总被引:2,自引:0,他引:2
在微机械电容式加速度计中利用静电力反馈使加速度计处于闭环力平衡模式工作,能提高加速度计的线性度。本文阐述了静电力在开环工作模式中的作用,导出了相关的灵敏度公式,报导了实验结果和成功地将原闭环工作的±1g 量程加速度计直接变为低量程的微机械电容式加速度计的实例,其量程为±0.01g,线性度优于0-2 % 。 相似文献
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文中提出了一种高量程压阻加速度传感器的灵敏度和横向灵敏度参数在动态冲击环境下的简易测试方法.采用金属杆自由落体的比较法,即将待测试的加速度传感器和已标定过的加速度传感器以背靠背的形式固定在金属杆的尾端,金属杆从一定高度自由落下与放置在地面上的金属砧发生相互碰撞,利用双通道放大器和计算机数据采集系统同时记录两路信号.实验中分别对6 000 g和60 000 g的压阻加速度传感器进行了研究,该方法具有较好的重复性和可靠性,并分析了测试偏差来源对横向响应的影响. 相似文献
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用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14 .0GPa± 2 9.2GPa ,残余应力为 2 65 .0MPa± 3 4.1MPa。探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响 ,得到低应力氮化硅的弯曲强度为 6.9GPa± 1.1GPa。对微桥法测量误差的分析表明 ,衬底变形、微桥长度和厚度的测量精度对最终力学特性的拟合结果影响最大 相似文献