VHF-PECVD制备微晶硅材料的均匀性及其结构特性的分析

采用VHF-PECVD技术在多功能系统(cluster tool)中制备了系列硅薄膜，研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明：气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响；材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均匀，在将材料应用于器件上时，必须要考虑优化合适的工艺条件；硅烷浓度大，相应制备薄膜的晶化程度减弱，即薄膜中非晶成分增多。     

薄膜太阳电池系列讲座(24) 染料敏化电池(中)

(4)传导到TCO的电子流向外电路。(5)该电子最终经由外电路回到对电极(Counter Electrode)。(6)处于氧化态S+的染料分子从电解质(氧化还原电对I/I3)的I离子中得到电子回到基态S,而电解质的I失去电子被氧化成I3:S++e→S(3)I2e→I3(4)(7)处于氧化态的氧化还原电对I/I3中的I3扩散到对电极处,从对电极获得电子而被还原成I离子:     

薄膜太阳电池系列讲座(16) 硅基薄膜太阳电池(八)

调制材料的光电性能对于吸收层更为重要。CO2浓度比与缺陷态密度及带隙宽度的关系见图38a[35]。带隙宽度最大可达到2.02eV,而缺陷态从1016cm3增加到2.5×1017cm3左右,增加了一个多数量级(缺陷态的测量通过CPM测量得到)。可见,O的加入在加宽带隙的同时,将带来更多的悬挂键缺陷态。鉴于O为二配位,而Si是四配位,配位数的差异造成悬挂键的增加不难理解。     

金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管

对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.     

一个新颖的用于CT0标准的数字收发器

介绍了一种新颖的用于CT0无绳电话标准的数字收发器.该收发器采用数字调制和解调技术来进行数据传输,取代了传统的模拟调制解调方式.在发射机中,使用小数分频锁相环实现了CPFSK调制;为了减小占用带宽,使用了2RC整形技术.在接收机中,使用了一种新颖的数字解调方法实现2RC CPFSK信号的解调.该芯片采用SMIC 0.35μm混合信号工艺实现,芯片尺寸为2mm×2mm.使用片外的低噪声放大器,该芯片的接收灵敏度可达-103dBm.     

氢等离子体辅助固相晶化多晶硅薄膜的初步研究

提出一种氢等离子辅助固相晶化(hydrogen plasma assisted solid phase crystallization,H-SPC)多晶硅的新颖技术。这一晶化技术能够明显缩短晶化时间,同时有效钝化多晶硅薄膜的缺陷态。首先对氢等离子辅助SPC技术与传统SPC技术进行比较分析,进而研究了晶化过程中各种工艺条件对多晶硅晶化质量的影响并进行了物理机制的初步分析。     

TFT LCD数模混合适配器

利用常见芯片加以改造设计制造了一个ＴＦＴ ＬＣＤ计算机显示适配器，其控制器用数字电路，而驱动器是模拟方式的，并在现有芯片基础上实现了多灰度级，还编制了较为完善的软件系统。实验取得了良好的显示效果。     

YAG激光晶化多晶硅

报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果,其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜(如非晶硅和微晶硅)为晶化前驱物,以及对激光能量的利用等问题进行了分析研究.实验发现,晶化需要基本的阈值能量流密度,而晶化硅基前驱物材料的结构,是决定此阈值的关键.延迟降温速率对激光晶化是一种较为有效的手段,并对所得的初步结果进行了讨论.     

辉光放电a-Si_(1-x)Ge_x:H的光电特性

改变 GDa-Si_(1-x)Ge_x∶H 薄膜中 Ge 的含量,可以获得1.8—0.9eV 的带隙能量范围。对于x>0.3的薄膜,准费米能级的位置接近带隙的中央,电导激活能随 x 值的增加而线性地减小。光敏感性(σ_p/σ_d)在 x 从0变化到1的整个范围内下降4个数量级。实验表明,选择合适的衬底温度(T_s=250～300℃)以及较低的射频功率可以得到质量较好的 a—Si_(1-x)Ge_x∶H 薄膜。     

VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池初步研究

研究了用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备的不同沉积气压下的微晶硅薄膜样品。随着沉积气压的逐渐增大,样品的沉积速率也逐渐增大;样品的光敏性和激活能测试结果表明：随气压的变化两者发生了规律性一致的变化;傅立叶变换红外(FTIR)测试表明制备的样品中含有一定量的氧,使得样品呈现弱n型;室温微区喇曼光谱测试分析得到样品的微晶化特征与IR的分析是一致的,用高斯函数对喇曼谱解谱分析定量得出了晶化程度;分析了H处理p／I界面对电池性能的影响;首次在国内用VHF-PECVD制备出效率达4．24％的微晶硅电池。