数字电视用户管理系统

课题实现了数字电视用户管理系统的设计与开发,以Oracle数据库作为后台数据库,以C Builder 6作为前台开发工具,包括表的设计与界面的设计.实现了数字电视用户管理系统基本功能,基本上满足了实际商业运营的需要.     

液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响很大，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低；ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大；过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响，适当过量ＴｉＯ２含量，可得到性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷。     

TiO_2粉体性能对PTC热敏电阻性能的影响

ＴｉＯ_２的纯度、粒度及粒形对ＢａＴｉＯ_３系ＰＴＣＲ的性能影响很大，对所用ＴｉＯ_２加以选择非常重要，国产和日本产ＴｉＯ_２原料在粉体性能上存在差异。     

水基流延法制备片式PTC陶瓷

以PVA和PAA乳液为粘合剂,用水基流延法制备了BaTiO3基片式PTC陶瓷基片。研究了粘合剂、固相含量等对浆料黏度及流变行为的影响,同时对流延基片的干燥工艺、烧成曲线等也进行了研究。结果表明,将流延干燥后的基片,在1 320℃空气中烧结30 min,所得PTC样品的升阻比大于6个数量级,温度系数大于16%/℃,能够满足叠层PTC器件的制备要求。     

粒界缓冲型展宽效应对PTC材料温度系数的影响

本文利用相变扩张理论分析了粒界缓冲型展宽效应对BaTiO_3系PTC陶瓷的介电系数及温度系数a_r的影响,指出了晶粒尺寸和温度系数的关系。     

降温速率对Ba0.92Ca0.08TiO3 PTCR陶瓷室温电阻率"反常"现象的影响

通过系统研究烧结工艺对BaO92Ca0.08TiO3电阻正温度系数(possitive temperature coefficient resistance，PTCR)陶瓷的影响，在晶粒生长过程中分析液相在晶界中的分布。着重研究降温速率对PTCR室温电阻率的影响。发现在1300～1150℃温区内，当降温速率大于15℃／min时，出现随降温速率增加，室温电阻率增大的“反常”现象。根据液相在晶界区分布随降温速率的变化规律，对这种“反常”进行解释。     

MgO－CoO－NiO氧敏材料的缺陷化学及电导特性研究

本文用点缺陷理论分析了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ系氧敏材料的缺陷模型．并测量了ＭｇＯ－ＣｏＯ－ＮｉＯ材料的高温电导与氧分压的关系．在实验的基础上，研究了该材料的缺陷化学及电导特性，对其禁带宽度及缺陷的热力学参数进行了理论估算．实验结果与理论分析吻合得较好．     

PbCrO4-V2O5系陶瓷湿敏电阻材料初探

报导了在体控型湿敏材料ＰｂＣｒＯ４中引入Ｖ２Ｏ５的研究结果。实验表明，随着Ｖ２Ｏ５含量的增加，材料在低温范围内感湿灵敏度下降，当ＰｂＣｒＯ４与Ｖ２Ｏ５的摩尔比为１：１时，材料几乎失去感湿特性，当比例为１：０．３时，在温度为４０￣８０℃相对湿度为３０％￣９０％ＲＨ的范围内，材料的湿阻特性几乎与温度无关，据此有可能制备不加温度补偿即可直接使用的湿度传感器。     

水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究

采用sol-gel法制备纳米BaTiO3基PTCR粉体,并以其为原料,采用水基流延成型工艺制备片式PTCR。研究了在sol-gel法制备BaTiO3粉体中,施受主元素含量、陶瓷的烧成温度与PTC效应、晶粒尺寸的关系以及水基流延工艺中各种添加剂对浆料和膜片性能的影响。结果表明:以纳米BaTiO3粉体为原料、水基流延的片式PTCR坯片,在1240℃下就能半导化,所得陶瓷样品的升阻比高于104,温度系数大于13%℃–1,平均晶粒尺寸小于2μm。     

PTCR陶瓷化学沉积镍电极的工艺及结构

用化学沉积法在ＰＴＣＲ陶瓷上制作镍电极可形成良好的欧姆接触，且成本较低。通过实验，优选出了合适的镀液成分、浓度及施镀条件。用扫描电镜分析了镍层的结构和成分，探讨了镀层的生长机理，并描述了核生长机理的模型。