基于综合用电煤耗的电力高质量发展评价指标研究及应用

煤电平均供电煤耗作为评价能源系统效率的指标已在行业内广泛应用。但该项指标无法很好地反映一个国家、地区的用电结构与用电能耗水平。为此，参照行业内普遍采用的火电厂发电煤耗和供电煤耗指标，定义“综合用电煤耗”，即用户每用1 kW?h电“消耗”的标准煤量（单位:g/(kW?h)）。在此基础上，提出“综合发电煤耗”与“综合供电煤耗”的概念，形成完整的指标评价体系。对近年典型省份指标值的研究表明，该指标体系能够很好地反映供给侧国家、省区或企业的发电结构与电能生产能耗水平。这一指标体系能够为正确理解和计算用电、输电与电能替代项目的化石能源消耗量及其排放量提供依据。     

高手工作日记大曝光

还记得我们前几期曾经约一些国内外的技术支持专家写过的《电脑排障高手是这样炼成的》、《系统“健康长寿”私房秘技大曝光》吗？高手果然是高手，这些文章在读者中的反馈相当强烈，许多读者来信希望他们能够再多介绍些自己的经验。Cornel在网上软磨硬泡数日，终于逼得其中一位高手将自己的工作日记贡献出来！Cornel将其整理后，摘录了其中一些比较经典的秘技，以飨读者。     

光隔离器及其相关的磁光材料

本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类 ,并提出了该器件今后发展的几个问题 ,最后介绍了几种磁光材料     

流连于足尖的点点风情——那双精美的乡花鞋

提到“绣花鞋”这个关键词，很多人脑海里第一个闪现的竟然是文革期间的手抄本小说《一只绣花鞋》。祖上传下来的精美绝伦的绣花鞋，现如今竟然成了惊悚恐怖的代名词，这不知是不是一种悲哀。但不可否认的是，做工精美、锦绣华丽的绣花鞋，依然是令人爱不释手的一块民族服饰瑰宝。[编者按]     

氮化硅结合碳化硅复合材料性能优化的研究进展

氮化硅结合碳化硅具有优异的力学性能、抗蠕变性能、抗热冲击性能、热学性能和抗化学侵蚀性能,被广泛应用于冶金、化工、机械和国防军工等领域。氮化硅结合碳化硅的服役环境恶劣,材料的力学性能、抗热震性能、抗侵蚀性能和抗氧化性能是影响其服役寿命的关键。本文针对如何提升氮化硅结合碳化硅材料的服役性能,对氮化硅结合碳化硅力学性能、抗热震性能、抗侵蚀性能和抗氧化性能的优化工艺和技术原理进行了总结与归纳。目前,氮化硅结合碳化硅性能优化的主要措施有:(1)合理选择原料的组分配比、颗粒级配、结合系统和烧结制度;(2)添加含Fe、Co、Ni或Cr等催化剂,促进硅粉的氮化和氮化硅晶须的生长;(3)添加烧结助剂或增强相,促进材料的烧结致密化或材料中高熔点第二相的生成。     

智慧城市综合能源系统数字孪生技术及应用

传统城市向智慧城市的转型发展对能源系统提出了新的要求,建设数字化、互动化的综合能源系统是重要的应对思路之一。在先进信息技术的驱动下,综合能源系统的数字化与信息化水平不断提升,但如何充分发挥其技术价值仍需要探索。该文围绕综合能源系统的数字孪生技术,对其在智慧城市发展中的需求、价值与意义进行了分析,对其基本技术框架和技术挑战进行了探讨,对相关的关键技术问题进行了阐述,并围绕综合能源系统数字孪生在系统规划、运行、控制以及与城市多领域协同交互等方面的应用进行了展望,希望能够为综合能源系统数字孪生技术的未来发展与应用提供一些思考和借鉴。     

基于爬虫的数据监控系统

近年来,随着互联网技术的快速发展,云计算服务开始全面普及,大型互联网公司以及中小型企业已经开始提供自己的云计算服务,中国科学院也提供了云计算服务平台——中科院“科技云”.本文针对中国科学院“科技云”项目的实际需求,参考已有商业云监控系统的功能和运行模式,设计并实现了一种基于爬虫的数据监控系统.该系统相比商业云监控系统,支持URL（布尔）类型数据监测的同时,增加了对数值类型、文本类型的监测,更好的支持第三方服务的监测,并实现了服务故障警报,监测数据可视化以及监测数据分布式存储.     

电力市场初期供电公司优化错峰避峰计划的研究

目前供电公司针对电力高峰时期的错峰避峰计划主要是从安全的角度凭经验制定的。该文提出了我国电力市场过渡时期错峰避峰优化模型,模型以供电公司错峰避峰计划时的利润损失最小为目标,考虑用户安全等级、用户拖欠电费情况、不同用户的负荷率等因素,并用改进遗传算法完成求解,使原有的遗传算法部分地处理了连续变量并且发挥了遗传算法的全局寻优能力,并用算例验证了该方法的有效性。     

GPS卫星民用信号半实物仿真研究

对GPS卫星信号的产生机理进行研究,并利用FPGA产生C/A码,利用VC进行软硬件间的交互,最后在MATLAB平台下利用C/A码产生GPS卫星仿真信号,从而为GPS卫星信号的软件接收机的进一步研究和应用提供支持.     

HFPECVD法沉积BN薄膜及其生长机理的研究

本文介绍了用HFPECVD(hot filament plasma enhanced chemical vapor deposition)法制备BN薄膜.通过红外吸收谱和x射线衍射图谱分析确定,射频功率和反应气体(N2)气流量显著影响薄膜中立方相BN(c-BN)的相对含量.当射频功率小于200W时,薄膜中立方相的相对含量随它的增加而增大;而当射频功率大于200W时,则随它增加而减小.当N2气流量增加时,薄膜生长速率增加,但立方相的相对含量却减少.最后通过对不同沉积时间样品的红外吸收谱的分析对BN薄膜的生长机理进行了探讨.