BaO-Al2O3-SiO2微晶玻璃密度的计算

为了评估密度作为BaO-Al2O3-SiO2(BAS)微晶玻璃晶化热处理和质量监控手段的可行性和准确性,提出一种测定微晶玻璃密度的方法.利用x射线衍射和Rietveld结构精修法准确测定烧结制备的BAS微晶玻璃中各晶相的质量分数和密度,研究了加和法则应用于BAS系微晶玻璃的准确性.对比精修得到的晶相的晶胞参数和对应标准卡片上纯晶相的晶胞参数,得到样品中各晶相的密度.结果表明:BAS微晶玻璃中各晶相与对应纯晶相的密度差别极其微小.利用获得的各相的质量分数,根据玻璃工艺学的经验数据计算残余玻璃相的密度.最后,根据加和法则计算得到BAS微晶玻璃样品的密度,所得的密度值与利用Archimedes法测得的密度值的相对偏差小于1.4%.     

不锈钢基厚膜PTC热敏电阻浆料的制备与性能研究

以二氧化钌和氧化铜的混合物为功能相制备出不锈钢基厚膜PTC热敏电阻浆料.研究了功能相与玻璃相的配比、功能相的粒度对厚膜电阻方阻及电阻温度系数(TCR)的影响规律.结果表明:固定浆料中玻璃相的成分与含量(30wt%),控制功能相中RuO2的比例(45.4wt%～88.9wt%)或功能相的粒度(0.30～1.0μm),可制得具有不同方阻(1.5～12.8Ω/□)和TCR(2100～2900×10-6/℃)的厚膜PTC热敏电阻.     

封接工艺对玻璃与可伐合金结合性能的影响

采用正交试验方法研究了封接工艺对玻璃与可伐合金结合性能的影响。利用电子万能实验机和金相法分别测试了封接件的剪切强度和显微组织。结果表明：在封接工艺过程中，封接气氛(N2流量)是最主要的影响因素。封接温度次之，封接时间的影响最小。     

电接触与电接触材料(五)

介绍了电接触中α-斑点温升计算的基本方程,指出收缩区内(r~a)温升达至稳态的时间常数与材料热性能及斑点半径有关;在假设电接触材料的热导率及电阻率不随温度变化以及电接触材料的外表面为与外部环境无热交换的条件下,得出电接触附加温升的简单计算式,此时电接触温升只与材料的物理性质有关,而与尺寸形貌无关。重点介绍了考虑温度对电阻率及热导率影响时的V_T关系式,讨论了α-斑点附近温度场的计算结果。     

印刷电子领域的高分辨导电布线技术

综述了印刷电子领域的高分辨导电布线的研究现状,具体分析了目前印刷电子领域中实现高分辨导电布线的有效途径以及影响印刷分辨率的重要因素。     

Ag／SnO2（G）触点材料在开关上的应用及失效分析

介绍了应用新型触点材料Ag／SnO2（G）的KDC－A04推推式电源开关的电寿命试验情况。试验结果表明，应用Ag／SnO2（G）10触点材料装配的KDC－A04开关的TV－8电寿命试验达到30050次，超过美国UL有关试验标准。对服役后的触点进行了失效分析，指出ho。改性和改善Ag与SnO2之间的浸润以提高银熔池溶液的粘度可提高Ag／SnO2触点材料的综合性能。     

AlSiC电子封装材料及构件研究进展

AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.     

AgMeO触点材料电弧侵蚀的物理冶金过程分析

本文报ＡｇＭｅＯ触点材料电弧侵蚀机理，对电弧的热力作用下触点材料的各种响应从物理冶金本质角度进行全面研究，在此基础上对ＡｇＭｅＯ触点材料组元和组织的优化设计作了完整的分析，提出优化设计判据，最后提出能充分表征触点材料电气使用性能的材料物理性能参数。     

高熔点复合氧化物陶瓷的相可控低温烧成

提出以玻璃陶瓷的母体玻璃作为烧结助剂,低温液相烧结复合氧化物陶瓷的技术思路。研究了BaO–Al2O3–SiO2(BAS)玻璃的高温黏流特性和降温析晶特性,以确定其液相烧结工艺。以BAS玻璃作为烧结助剂,由液相烧结制备了Y2Si2O7,Y2SiO5,3Al2O3·2SiO2或La2Zr2O7复合氧化物陶瓷。结果表明:采用钡长石玻璃陶瓷的母体玻璃作为烧结助剂,可实现高熔点复合氧化物陶瓷的低温烧成,能制备以设计的复合氧化物为主晶相,母体玻璃析晶得到钡长石为次晶相的复合氧化物陶瓷。     

氧化铝陶瓷的低温钼金属化研究

采用BaO-Al2O3-SiO2（BAS）微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,在氧化铝陶瓷表面低温烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度及BAS含量对样品抗拉强度的影响,讨论了金属化机理。结果表明：以BAS微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,可在1500~1550℃烧成Mo金属化层,金属化层致密,连接样品的抗拉强度大于260 MPa。