基于MSP430单片机的智能同步开关控制系统

介绍一种基于MSP430F449单片机的智能同步开关控制系统,该系统通过对电网的相电压、相电流进行采样,利用过零信号控制高压开关接通和断开的时间,使得开关的主触头分别在电压的过零点附近合上,在电流的过零点附近断开,消除容性负载的浪涌电流和感性负载的感应电压。     

一种新颖的具有带隙结构运算放大器设计

本文提出了带隙结构的运算放大器，把带隙基准和运算放大器有机的结合到一起，有效的节省了芯片面积，并有很好的精度和动态响应特性。本文阐述了该结构的工作原理，对整体结构进行分析，重点阐述了带隙结构的特点。采用0.8μm BiCMOS工艺，通过HSPICE进行仿真验证，得到其开环增益为63.4dB，电源抑制比为106.4dB。     

一种CMOS混合电源供给管理方案

针对目前便携式设备对多电源供电的要求提出了一种CMOS工艺下的片内电源管理方案。该方案可实现3种输入电源即：交流适配器(AC)、USB电源、以及电池电源之间的选择，并设置供电电源优选顺序为：交流电源、USB、电池。另外本文设计了相应的欠压保护电路，使得该电源管理方案更加完整。     

一种结构新颖、输出可调的CMOS带隙基准电压源

基于TSMC 0.35μm CMOS工艺，设计了一种结构新颖的带隙基准电压源。通过调节电阻值可以得到所需要的不同基准电压。Cadence仿真表明：输入电压从1.9V变化到5V，基准电压变化了0.08％。在温度范围-40℃-125℃内，基准电压的温度系数为5.8ppm/℃。该电路具有较好的直流电源抑制特性和良好的温度特性。     

基于路径的防篡改动态软件水印算法

本文给出了一种改进的动态水印算法,该算法采用基于中国剩余定理的水印分割方法,并通过在程序中同时插入与分割的拓扑图相对应的校验比特串的方法提高其纠错能力和抗篡改能力。该算法具有编码纠错能力强、抗攻击能力好的特点,同时兼顾了基数-k编码方法编码率高、编码范围广的优点。     

用于虹膜识别的眼睑及眼睫毛遮挡检测

分别针对眼睑和眼睫毛遮挡噪声,利用其灰度和形状信息提出了2种灰度形态学检测算法.1)设计弧线形的形态学结构元素,经过灰度开启运算、图像分割和边缘检测,获得眼睑边缘的候选点集,再利用Bézier曲线拟合出眼睑边缘;2)构造交叉形的形态学结构元素,通过灰度开启运算得到直方图具有分段特性的虹膜图像,经二值化检测出眼睫毛.实验结果表明:文中算法能有效地检测2种遮挡噪声,有助于降低虹膜识别系统的等错误率,提高模式的可分性.     

嵌入式低压降线性稳压器设计与分析

以LDO内置在音频功率放大器等系统级芯片(SOC)中实现内部供电电源为目的,给出了一种简单的高精度、宽输入电压范围LDO线性稳压器,采用TSMC 0.6 μm BCD高压工艺实现.与传统方法相比,该电路在温度系数、频率补偿、输出瞬态响应等关键参数指标上有所改进,输出电压作为内部供电电源所需具备的稳定性精度为±1.2%,最大输出负载电流为30 mA.     

用定量结构性质关系(QSPR)预测芳香系炸药的密度

以物质的电子、空间等结构性质为基础,运用Gaussian98和Cerius2程序包对偶极距(Dipole)、最高占据轨道能量(EHOMO)、最低空轨道能量(ELUMO)、分子总能量(E)、旋转键(Rotlbonds)、最弱的R-NO2键长(R-NO2 bond length,R为C或N)、氢键供体(Hbond donor)和中点势(Vmid)8种描述符进行了计算,采用Cerius2程序包中的QSPR方法建立了芳香系炸药密度与8种描述符之间的构效关系式,相关系数R为0.909,30个化合物所构成的训练集和15个化合物所构成的预测集预测密度与实测密度之间的平均误差分别为3.33%和2.94%。     

一种深亚微米MOSFET高频噪声模型

基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型.该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺参数和电学参数,不含有微积分和拟合参数,较大地提高了MOSFET高频噪声模型的易用性.根据MOSFET的高频等效电路,得出了MOSFET的噪声系数模型.实验结果证明,提出的深亚微米MOSFET高频噪声模型的仿真结果与测试结果的平均误差不到0.4 dB,并与其他高频沟道噪声分析模型进行了比较.