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991.
992.
CTP这项意味着制版工艺革命的技术已经经历了长达11年的发展,在这11年中也历经了数次变革。伴随着版材和激光器技术的进步,CTP市场的竞争局面也发生了重大变化,由开始的热敏技术独领风骚到如今的紫激光与其分庭抗礼。现今CTP技术已基本成熟.设备和材料的成本不断下降.全球范围内的装机量不断增加,而且种种统计数字显示印刷行业的CTP时代即将来临。 相似文献
993.
目的 建立集成学习Stacking模型,对重大活动举办过程中的肉及肉制品进行合格安全分析与风险预测预警。方法 通过收集2015—2020年间国家市场监督管理总局食品日常监督管理抽检数据,筛选出所有肉及肉制品相关数据,选择“食品亚类”、“规格”、“生产时间”、“生产企业类型”、“生产省份”、“是否异地运输”等字段信息作为肉及肉制品合格风险因子,选取所有不合格数据5866条,从所有合格数据中随机抽取10000条数据共15866条构成数据集,按照3:1划分训练集和测试集,搭建基学习器为KNN(K- Nearest Neighbor,K最近邻)、BP(Back Propagation,反向传播)神经网络、SVM(Support Vector Machines,支持向量机),元学习器为LR(Logistics Regression,逻辑回归)的Stacking预测模型,进行训练预测与模型评估。结果 经过5次训练后,模型的准确度为94.20%,精确度为93.78%,召回率为97.57%, F1参数为95.63%,模型鲁棒性强,可靠性高。结论 基于集成学习Stacking的肉及肉制品安全风险分析与预测预警模型整体性能良好,可应用于重大活动举办过程中的食品安全风险分析预测,并精确指导监督抽检与辅助决策情报研判。 相似文献
994.
995.
996.
研究比较了Fe-10Si和Fe-22Si两种合金在600~700℃于ZnCl2-KCl盐膜下的氧化行为。结果表明,无盐膜下Fe-22Si合金表现出良好的抗氧化性能,而Fe-10Si合金表面生成了具有双层结构的氧化层,外层主要为Fe的氧化物,内层为Fe和Si混合氧化物。而在盐膜下两种合金均发生了加速腐蚀,表面生成了疏松多孔的腐蚀产物,并出现内腐蚀,尤其是Fe-22Si合金表面保护性膜发生退化。合金的腐蚀速率随Si含量的增加而降低,Fe-Si合金的加速腐蚀主要是由于金属表面保护膜与氯化物沉积盐发生反应所致,通过热力学相图预测了可能发生的腐蚀反应,并探讨了加速腐蚀机制以及Si的效应。 相似文献
997.
对Al-Zn-Mg-Cu合金进行3 GPa压力热处理,利用纳米压痕法研究了该处理对Al-Zn-Mg-Cu合金纳米压痕蠕变性能的影响。结果表明:3 GPa压力处理前后Al-Zn-Mg-Cu合金在室温下能发生压痕蠕变,在不同压力和时间条件下,3 GPa压力处理能减小Al-Zn-Mg-Cu合金的室温蠕变量,提高合金抗蠕变能力。 相似文献
998.
研究了脉冲电场对Fe-C-i(Si,Mn)系合金与CaO-Al2O3-MgO系熔渣间反应的影响。在渣-金熔体间施加2 V脉冲电场,分别作用30,60 s后,渣中硅与锰质量分数随作用时间延长而逐渐增加,分别由0.31%和0.02%增加到0.63%和0.049%;金属基体的上表面和下表面硅质量分数之差与锰质量分数之差逐步减小,分别由0.06%和0.32%降至0.01%和0.022%;金属基体中硅和锰的夹杂物尺寸有不同程度的降低,其中硅的夹杂物尺寸减小最明显,由45μm左右降至5μm左右。 相似文献
999.
目的:通过基因干扰和过表达技术,研究V-ATP酶H亚基(V-ATPase membrane subunit H,VMAH)蛋白在柑橘绿霉病菌指状青霉生长中的生理功能,及其作为抗柑橘绿霉病药物作用靶点的可行性。方法:采用菌丝生长法和孢子萌发法,研究沉默和过表达VMAH基因对正常和胁迫条件下指状青霉细胞生长特性的影响。结果:在正常生长条件下,沉默VMAH基因显著抑制了指状青霉菌丝体的生长;而过表达VMAH基因对菌体生长表现出显著促进作用。在不同pH值环境下,沉默VMAH基因显著抑制了指状青霉菌丝的生长,尤其在偏酸性(pH值低于2)和偏碱性(pH值高于8)条件下尤为显著;而过表达VMAH基因在一定程度上促进了菌体菌丝的生长,pH值为6时,其促进作用最显著。与野生株相比,沉默VMAH基因对胞外Ca2+、Cu2+、Fe2+等金属离子胁迫处理较为敏感。VMAH基因沉默菌株对质子泵抑制剂类杀菌剂的敏感性显著增加,尤其V-ATP酶专一性抑制剂巴佛洛霉素A1最为明显;而VMAH基因过表达菌株对质子泵抑制剂类杀菌剂的敏感性显著降低。结论:VMAH在指状青霉生长过程中发挥重要作用,是研发低耐药性柑橘采后杀菌剂的潜在作用靶点。 相似文献
1000.
概要介绍基于MIPS指令集的RM7000A微处理器的大容量片内缓存、超标量流水线、指令双发射、大量寄存器组等主要特性,并对其两种应用方案进行探讨。 相似文献