几个发达国家建筑业的有关情况

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单一电子的存储器

日本日立制作所在日立剑桥研究所的协助下已成功地制成用一个电子能记录1位信息的单一电子存储器’并能在室温下工作。在硅衬底上制作栅电极，并在其上面制成硅氧化膜，然后把党100nm、厚4nm的多晶硅细线制成十字形的结构。细线由直径10urn的许多硅晶粒构成。在交叉的极微小的区域中可进行存储器工作。硅晶粒大小和晶格结构是各种各样的，电子选择能量低的晶粒，并在细线中流动。若在栅电极上加上电压，在流动的电子中飞出一个电子，被在外面流动的硅晶粒俘获。这样，由于以后的电子不能进入，用一个电子进行1位存储。存储效果可保持1个月以…     

阔叶木家具的简易护理方法

只须简易护理,阔叶木家具便可用上一辈子,甚至几辈子。想想祖父的折合式书台,可是一代传一代的无价宝！只须好好护理阔叶木家具,便可以保证其持久耐用,更何妨这是轻而易举的事。     

NEC公司开发1Gb DRAM用的存储单元

NEC公司采用0．2μm电子束曝光技术已制成0．375μm2单元面积1GbDRAM用的存储单元。新存储单元，由于把通过存储单元内的位线作成斜形状，用在IGbDRA负中存储单元面积的“斜位线结构”和“担氧化膜”的低温工艺技术来实现的。斜位线结构，在开位线结构中把通过存储单元内的位线作成斜形状，使存储单元的面积缩小到以前的75％。低温技术是在500t下可实施层间膜的平坦化和布线用触点形成的技术，根施这种技术，可控制但氧化膜的恶化，用氧化膜换算，可使用2．sum的极薄袒氧化股，可与HSG硅结构组合，存储容量为28．5fF。另外，该公司作…     

第三代16Mb DRAM芯片尺寸为60～65mm~2

据报道，第三代16MbDRAM芯片尺寸非常小为60～65mm2，日立制作所已从1995年3月起开始销售样品。在1块芯片上可制作字结构X1，X4，X8位。从1995年第三季度开始，该公司在那河地区的新生产线也能批量生产。同样芯片面积的16MbDRAM韩国三星电子公司也在开发，预计年内可出售样品。第三代16Mb DRAM芯片尺寸为60～65mm~2@一凡     

冲电气公司开发1Gb DRAM用的新SOG材料

日本冲电气工业公司已制成照射电子线和远紫外线，安全、无机化新感光涂敷玻璃材料（简称：S（）G）。清晰度达到甩于IGbDRAM的0．lpm。各级以上的DRAM主要担心制造工艺复杂化，如采用新的SOG可大幅度减少工艺流程。新S（）G材料，除可照射电子线和远紫外线外，也可在350～4O0℃的低温下烧成，完全成为硅酸玻璃。另外，没有照射电子线等区域可用溶剂简单除去，能用通常的光刻。。在金属膜上，涂敷新SOG后，若在上面形成图形，在抗蚀剂涂敷图形形成工艺中，可进行金属膜腐蚀，工艺流程可减少一半。冲电气公司开发1Gb DRAM用的新S…     

2010年日本LSI市场超过1亿日元

据报道，2010年日本LSI市场的年增长率为15．7％，约达1．3800亿美元（1美元等于80日元，约1．1亿日元）。对NEC、东芝、富士通、三菱电机公司作了预测，各公司的年增长率为12％～20％。二位数增长，对保持现有市场继续增长是稳妥的．从宏观经济来看，据经济协力开发组织（OECD）报道，世界的GDP，从1990年到2010年的20年间，年平均增长率为4％弱，而1990年以前该值是非常低的。情报化投资可使GDP增加2倍以上（NEC）。这样，LSI市场的年增长率接近10％，然而，装在电子设备中的LSI数量大大增加，为目前的2倍，市场能达到2位数增长…     

传热对空气标准Diesel循环功和效率特性的影响

用有限时间热力学方法分析空气标准Diesel循环的性能．导出考虑传热效应下循环的功及效率与压比的关系，并得出功与效率的关系和最大功输出时的效率．给出了较为详尽的数值计算结果，它们对实际Diesel机性能的评估及改进有一定的指导意义．