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| NEC公司开发1Gb DRAM用的存储单元 | |
| 引用本文： | 一凡.NEC公司开发1Gb DRAM用的存储单元[J].微电子技术,1996(2). |
| 作者姓名： | 一凡 |
| 摘 要： | NEC公司采用0．2μm电子束曝光技术已制成0．375μm2单元面积1GbDRAM用的存储单元。新存储单元，由于把通过存储单元内的位线作成斜形状，用在IGbDRA负中存储单元面积的“斜位线结构”和“担氧化膜”的低温工艺技术来实现的。斜位线结构，在开位线结构中把通过存储单元内的位线作成斜形状，使存储单元的面积缩小到以前的75％。低温技术是在500t下可实施层间膜的平坦化和布线用触点形成的技术，根施这种技术，可控制但氧化膜的恶化，用氧化膜换算，可使用2．sum的极薄袒氧化股，可与HSG硅结构组合，存储容量为28．5fF。另外，该公司作… |
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