红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制

本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上，指出ＳＯＩ晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系，从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施．     

连续CO2激光熔凝太阳能硅材料

采用大功率连续ＣＯ２激光熔凝硅粉末，生长得到纯度较高的太阳能多晶硅材料，探讨了影响太阳电池效率的少子复合中心和微观组织结构以及激光消除复合中心和改善微观组织结构的机理。在实验中获得了杂质浓度低且呈较整齐分布的柱状晶太阳能多晶硅材料。     

双晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模…

我们拟采用最基本参数，饱和时间常数，和与此相关的半导体物理机理来分析双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为。全文分上、下二篇分别发表。本文为上篇，文中给出了在基区中正态模和逆向模的涉动电流和存贮电荷以及收集极外延层中的涉动电流和存贮电荷的解析分析；把它们表示成收集极传导电流Ｉｃ和收集极与基极之间电位差ＶＣＢ的函数。为在下篇中提出一个严格的解析模型提供理论基础。     

日本太阳电池制造技术的开发

日本太阳电池制造技术的开发洪峰日本新能源产业技术综合开发机构（ＮＥＤＯ）为了推进太阳电池开发和实用化，以“新阳光计划”为基础，从１９８０年开始不断进行电力用太阳电池的开发。为了大幅度降低太阳电池的制造成本，ＮＥＤＯ计划在１９９３—１９９６年间以提高薄...     

一种高速高压NPN管的研制

把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆｒ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２０ｎｍ。     

国内第1家太阳能电池厂开工兴建

国内首家太阳能电池生产厂——京瓷(天津)太阳能有限公司已开工兴建。京瓷(天津)太阳能有限公司是由天津一轻集团同日本京瓷株式会社合作开办的，厂房位于天津开发区内，占地面积4900m^3，厂房建筑面积2500m^3，投资220万美元。其中中方占10％股权，日方拥有90％股权，预计2004年生产能力达到12MW。     

英特尔三星不妙IC生产用多晶硅供应不足

半导体生产所用的硅晶圆需求强劲（图1）。2004年和2005年连续2年供货量创下了历史最高水平。除半导体领域的需求外，太阳能电池领域对硅的需求也在急剧增长。多晶硅需求如果照现在的势头继续增长，将会导致严重的供货不足。假如没有多晶圆，不仅无法生产硅晶圆，而且无论半导体厂商如何在生产线上扩大投资也不可能增产。全球IC需求预计今后将急剧增长，但却有可能无法按照这种趋势供货。     

多晶硅薄膜太阳电池将成为今后太阳电池市场的方向

进入21世纪,在欧洲、日本扶持政策的引导下,世界光伏发电技术和产业有了突飞猛进的发展,近五年的年平均增长速度超过了50%。2004年底,全球光伏发电产量超过1250MW,2005年年底的产量可能超过2500MW,年增长速度超过了100%,与2000年相比增长了约9倍,是1999年的12倍。从市场份额看,晶体硅电池占90%以上,非晶硅电池占9%,其他类型电池约占1%,生产大国主要集中在欧洲、日本、美国和中国。从远期看,光伏发电终将以分散式电源进入电     

关于多晶硅项目介绍

介绍了多晶硅的基本知识、工艺流程,并分析了财务经济及社会效益