一种高速高压NPN管的研制 |
| |
引用本文: | 张正元,龙绍周.一种高速高压NPN管的研制[J].微电子学,1997,27(5):350-353. |
| |
作者姓名: | 张正元 龙绍周 |
| |
作者单位: | 电子工业部第二十四研究所,电子科技大学 |
| |
摘 要: | 把Ning-Tang测试发射极电阻的方法进行扩展,用来测试多晶发射极界面氧化层电阻,作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验,获得退火的优化工艺条件,并由此成功地研制出BVCEO≥30,BVCBO=75V,fr=2GHz,β=180的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻SSM150型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布,得出多晶硅发射极晶体管的发射区结深为50nm,基区结深为20nm。
|
关 键 词: | 半导体器件 半导体工艺 多晶硅发射极 NPN晶体管 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|