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低压直流系统与交流系统相比,在系统结构、初期投资、系统可靠性、安全性、电能质量和能耗等方面存在诸多差异.在存在这么多差异的情况下,对低压直流系统进行经济性评估是非常必要的,因为投资造价是决定低压直流配/用电系统是否具备推广应用的技术经济可行性的重要因素.围绕民用建筑、市政供电和工业用电三类场景开展低压直流配/用电系统经济性评估,通过与等效交流系统对比,根据不同供电场景特征需求,考虑多维度的投资-收益,结合传统经济性指标,提出能准确体现低压直流系统特征的经济性评估方法;并通过民用场景的典型算例验证评估方法的有效性,为低压直流系统的市场推广提供初步的指导性意见. 相似文献
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对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量.PL测量结果表明,相对于带有蓝宝石衬底的样品,InGaN/GaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生较小的蓝移,而InGaN/AlGaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生明显的红移;喇曼光谱的结果表明,激光剥离前后E2模的峰值从569.1减少到567.5cm-1.这说明激光剥离去除衬底使得外延层整体的压应力得到部分释放,但InGaN/GaN与InGaN/AlGaN多量子阱结构中阱层InGaN的应力发生了不同的变化.XRD的结果证实了这一结论. 相似文献
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用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属-半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与p-GaN的接触,使ρc显著升高. 相似文献
96.
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钻井过程中的钻柱状态,并非是无规则地贴附在井壁上.而是呈“准螺旋状”沿井眼轴线方向排列。分析了岩屑床形成的力学模型、水力学模型以及它们共同作用的模型,研究出了不同钻柱状态对钻井液流动的影响。在发生钻柱“准螺旋”状态的井段。钻井液所携带的岩屑更容易形成岩屑床。利用钻杆的“准螺旋状”性质,提出了一种模拟和预测钻井液在水平井与大斜度定向井井眼内携砂效果的新方法,根据该方法可判断钻井液携砂情况。并较准确地指出井眼内由于钻井液携砂不良而易于沉砂的位置。同时编制了相应的模拟软件。该软件结合渤海秦皇岛32—6平台的钻井实践进行了验证。获得了较满意的结果。 相似文献
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GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线.结果表明,相对理想情形,特性曲线的反向偏压区漏电因深能级隧穿偏大;正向小偏压下因沿着位错汇聚金属产生漏电流;产生-复合电流区和扩散电流区因多量子阱限制而理想因子偏大;由于有源区低掺杂,在10A/cm2就开始形成大注入区;在大电流下也因为串联电阻分压而形成串联电阻区.扩散电流区的温度系数和肖克莱方程导出的数值最接近,可用来测量结温.老化过程中反向漏电流增加,是因为有了更多被激活的深能级;随着老化正向漏电增加的速度变慢,是由于位错逐渐被汇集的金属填满. 相似文献
100.