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101.
《马克思主义哲学原理》课程不仅是高校思想政治教育的主阵地,也是进行人素质教育、贯彻“以人为本”教育理念的主渠道。要想在更高的层次上彰显其思想性和科学性,就必须在教学过程中对学生进行人精神的教育。章结合当今时代精神,指出在目前的《马克思主义哲学原理》教学实践中,必须对学生进行追求真理的精神、追求自由的精神、怀疑和批判的精神以及创新精神的教育。 相似文献
102.
对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量. PL测量结果表明,相对于带有蓝宝石衬底的样品,InGaN/GaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生较小的蓝移,而InGaN/AlGaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生明显的红移;喇曼光谱的结果表明,激光剥离前后E2模的峰值从569.1减少到567.5cm-1. 这说明激光剥离去除衬底使得外延层整体的压应力得到部分释放,但InGaN/GaN与InGaN/AlGaN多量子阱结构中阱层InGaN的应力发生了不同的变化. XRD的结果证实了这一结论. 相似文献
103.
本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究.用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0.045Ω·cm~2的欧姆接触.接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小.在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0.034Ω·cm~2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的。分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因. 相似文献
104.
105.
为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术,成功地制备出了带有微米级阵列超薄封装结构的LED.结果表明,这种带有微结构阵列LED的输出光强得到了明显增强,1mm×1mm大管芯GaN LED在350mA的直流电注入下的光功率比无微结构的LED提高了60%.这一成功为提高发光二极管的出光强度提供了一个有效的新途径. 相似文献
106.
研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104 mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光. 相似文献
107.
108.
同步发电机动态参数辨识 总被引:13,自引:0,他引:13
本文以发电机连续时间状态空间模型为研究对象,首次成功地实现了利用连续时间的修正扩展卡尔曼滤波(CEKF)在线辨识发电机的暂态和次暂态11个参数;用一个简易可行的修正项加入到状态量对未知参数求偏导的公式中,使得算法即使在噪声统计特性有较大误差的情况下仍具有很高的无偏性;实现了电压解耦及用伪随机序列作为小扰动输入信号辨识发电机的参数;成功地寻找出了算法中所需初值;对新信息、方程系数、参数进行了跟踪,并 相似文献
109.
介绍了点阵图形液晶显示模块(LCD)MTG—R4128AFWNSAY的硬件工作原理及其在智能钢丝绳无损检测仪器系统设计中的应用以及与AT89C51单片机的接口,并且给出了LCD的初始化及汉字显示的例子程序。 相似文献
110.