基于信息融合思想的神经网络模型研究及应用

文章针对水电仿真系统中水轮发电机机组的非线性动态数学模型建模复杂问题,提出了一种基于信息融合思想的神经网络模型。通过现场设置的多个异质传感器采集数据,作为该神经网络模型的输入训练样本数据,网络训练中动态修改网络权值和阈值,从而完成复杂的非线性建模功能。同时采用了具有较强全局寻优能力的遗传算法在训练中修改网络结构,从而避免神经网络训练速度慢、容易陷入局部极值的缺点,在现场在线数据预测测试中准确率可达95.8%以上,可以满足仿真模型需要。     

1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1 nm/s高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达6.3%的高沉积速率微晶硅太阳电池.     

模糊专家系统在故障诊断中的应用研究

文章提出了一种新的模糊逻辑与专家系统相结合的融合评估模型。该模型将评估过程视为模糊推理过程,并以此构建融合中心的结构模型。在融合算法的研究中,以模糊专家系统的算法实现融合中心的多传感器评估。在实验中将该模型用于丰满水电仿真系统的故障诊断过程。经分析表明,此模型优于传统的专家系统故障诊断模型。     

不同类型碳化物在基体中的分布对高速钢轧辊性能的影响

通过对具有不同组织的两种进口高速钢轧辊及一种国产辊环进行冷热疲劳试验及摩擦磨损试验，研究了不同类型碳化物在基体中的分布对高速钢轧辊性能的影响。结果表明，在晶界处分布的大块未溶共晶碳化物周围容易萌生裂纹，且大块的未溶共晶碳化物在经过多次冷热疲劳循环后容易碎裂并脱落，在磨损过程中，大块未溶共晶碳化物同样容易发生碎裂及脱落现象，大大影响耐磨损性能；裂纹容易沿晶界处分布的碳化物扩展，且晶界处分布大块的未溶共晶碳化物或碳化物联结成网状容易促进裂纹的扩展；晶界处M2C型碳化物与晶界成一定角度分布，具有一定阻碍裂纹扩展的作用；不同类型碳化物在基体中的弥散分布对于提高其耐磨性能具有很大作用。     

高效脱氮除磷工艺(NPR)中试研究

NPR工艺是将A2/O和BAF工艺经改进后有机结合形成的一种新型的更为高效的生物脱氮除磷技术.通过中试规模的试验,研究了该工艺处理生活污水时的脱氮除磷效果.结果表明,该工艺成功地解决了好氧段硝化菌与聚磷菌对泥龄的不同需求、厌氧段反硝化释氧与聚磷菌释磷之间矛盾的难题;NH3-N、TN和TP的去除率分别达到92.6%、68.3%和82.4%,同时CODCr和SS去除率分别达到93.4%、95.8%,且运行效果稳定.     

射频辉光放电硅烷等离子体的光发射谱研究

通过对RF—PECVD技术沉积氢化非晶／微晶硅(a—Si：H/μc—Si：H)薄膜沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体的光发射谱(OES)原位测量,系统地研究了不同的等离子体工艺条件下,特征发光峰强度(ISiH、IHα和IHβ)的变化规律。结果表明：随着SiH4浓度增大,ISiH^*单调增大且在不同浓度范围内变化快慢不同,而IHα和IHβ峰表现为先增后减的变化,最大值位于3—5％的SiH4浓度之间;工作气压的增大,各特征发光峰均呈现出先增后减的变化,但最大值对应的工作气压点有所不同;增大等离子体功率,所有的特征发光峰单调增加,但在不同的功率区间内变化快慢存在明显差异;气体流量在40一75sccm范围内变化时对特征发光峰的影响最为显著,更低流量时变化很小,更高流量则趋于饱和;衬底温度不仅影响生长表面的发应,对SiH4分解机制的影响不容忽视。     

最小二乘支持向量机在睡眠打鼾诊断中的应用

支持向量机是数据挖掘和机器学习领域中的重要方法之一,最小二乘支持向量机是支持向量机学习算法的重要扩展,在训练速度方面有明显优势。对支持向量机现有的多类分类算法（一对一方法、一对多方法、纠错输出编码方法和最小输出编码方法）引入了最小二乘支持向量机,并应用于睡眠打鼾疾病的诊断预测中,取得了较好的效果。     

服装造型中比例关系的设计美学

为探究设计美学内涵中的比例在服装内、外部造型设计中的作用,分析了黄金比例、根号矩形比例、渐进比例和人体比例等在服装款式图绘制和外部轮廓线中的应用规律,以及对服装内部6条纵、横向分割线的视觉影响。结果表明,在服装设计中恰当的比例不仅能提高款式图的美观度、丰富服装廓形、优化女性的身材比例、提升服装造型的视觉效果,还能为服装款式图的绘制、外部轮廓线和内部结构线的设计等提供科学的依据。     

引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备

为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池.从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性.通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电...     

电子束沉积技术生长WZO-TCO薄膜及其特性研究

采用电子束沉积技术生长w掺ZnO（WZO,ZnO：w）透明导电氧化物（TCO）薄膜（即WZO-TCO薄膜）并研究了衬底温度（100-350℃）对薄膜微观结构、表面形貌以及光电性能的影响。实验表明,随着衬底温度的升高,薄膜的晶体质量取得明显改善（从非晶化状态转变到结晶状态）,生长的WZO薄膜呈现C轴择优取向[即（002）...