引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备

为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池.从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性.通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电...     

超声喷雾热分解法制备硅薄膜太阳电池用ZnO：In透明导电膜

采用超声喷雾热分解法,在Eagle2000衬底上制备ZnO薄膜。通过Hall测试、X射线衍射、扫描电子显微镜和透过率测试研究不同In掺量对ZnO薄膜电学、结构、表面形貌和光学特性的影响。结果表明：当In摩尔掺量（In与ZnO的摩尔比）为1.5%时,获得的薄膜具有较低的电阻率（2.48×10–3cm）;所有In掺杂ZnO...