首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用
引用本文:张晓丹,张发荣,赵颖,陈飞,孙建,魏长春,耿新华,熊绍珍.1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用[J].半导体学报,2007,28(2).
作者姓名:张晓丹  张发荣  赵颖  陈飞  孙建  魏长春  耿新华  熊绍珍
作者单位:南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),国家自然科学基金,天津市自然科学基金,中国-希腊政府间合作基金和新世纪优秀人才计划资助项目
摘    要:采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1 nm/s高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达6.3%的高沉积速率微晶硅太阳电池.

关 键 词:甚高频等离子体增强化学气相沉积  微晶硅薄膜太阳电池  高沉积速率

Fabrication of 1nm/s High Deposition Microcrystalline Silicon and Its Application in Solar Cells
Zhang Xiaodan,Zhang Farong,Zhao Ying,Chen Fei,Sun Jian,Wei Changchun,Geng Xinhua,Xiong Shaozhen.Fabrication of 1nm/s High Deposition Microcrystalline Silicon and Its Application in Solar Cells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2).
Authors:Zhang Xiaodan  Zhang Farong  Zhao Ying  Chen Fei  Sun Jian  Wei Changchun  Geng Xinhua  Xiong Shaozhen
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号