双沟道实空间转移晶体管(RSTT)的研制

报道了在GaAs衬底上,采用δ掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构,成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的"Λ"型负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区。具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面,磁控溅射制作电极,快速热退火制作源漏低阻的欧姆接触等工艺步骤。器件的主要负阻参数PVCR可达10,对所研制的RSTT的负阻机制进行了初步探讨。     

共振隧穿晶体管的反相器统一模型

综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.     

一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管

利用硅双基区晶体管（DUBAT）产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT (NDRHBT) . 经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I-V特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.     

3英寸高纯半绝缘6H-SiC单晶的研制

采用物理气相传输(PVT)工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘(HPSI)6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱(SIMS)测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping(CORE-MA)和电子顺磁共振(EPR)测试进一步证实其高纯半绝缘特性。     

地下连续墙技术在基坑围护结构中的应用

文章主要介绍了地下连续墙施工技术在某大厦基坑围护结构中的应用。首先分析了该技术的工艺设计参数,然后具体介绍了该工艺的施工工艺流程,认为导墙施工、泥浆的使用以及混凝土的浇灌是连续墙施工的关键,最后给出了施工中易出现的槽壁塌方及槽壁倾斜两种问题的原因分析及处理措施。     

双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量

采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.     

SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理

采用物理气相传输法在SiC异质籽晶上制备了AlN单晶。通过Raman光谱仪、X射线衍射仪、二次离子质谱仪和X射线光电子能谱研究了AlN单晶的结晶质量和杂质成分,针对不同的杂质成分提出了相应的处理方式。结果表明:C、O为AlN单晶中的主要杂质元素,其中C元素为非故意掺杂,与AlN单晶的生长环境密切相关,随着生长晶体厚度的增加,C杂质元素的含量逐渐降低。而O元素除了源粉和生长系统中吸附氧外,还与抛光过程中形成的氧化物层有关;经腐蚀和退火处理,AlN表面氧化物的含量大幅降低,N/Al摩尔比接近1;经杂质处理后的AlN单晶片可作为同质生长的籽晶。     

基于AMESim和MATLAB联合仿真的双变量电动静液作动器性能分析

介绍了双变量电动静液作动器(EHA, Electro hydrostatic Actuator)系统的结构组成与工作原理,分别基于AMESim和MATLAB软件,建立了其机械、液压部分的模型和电机、控制部分的模型,并采用接口技术将二者结合,建立了其完整的非线性数学模型。采用分配解耦控制策略以及AMESim和MATLAB联合仿真技术对其进行阶跃和正弦响应性能仿真分析。仿真结果表明：所设计的双变量EHA系统原理正确,满足性能要求。分配解耦控制策略可以很好地解决双变量EHA系统的相乘非线性问题,保证了系统的刚度和鲁棒性。     

喷射打印成型用陶瓷墨水制备方法

简介了喷射打印成型技术的概念,论述了制备陶瓷墨水的几种可行方法;就有关报道及天津大学在该领域开展的工作做了总结．通过分析,作者认为,分散法虽然工艺简单,但分散性和稳定性不够理想．溶胶法制备的陶瓷墨水颗粒细、分散性较好,但稳定性有待提高．反相微乳液法可获得高度分散、高度稳定的陶瓷墨水,陶瓷颗粒的粒度可以达到纳米级,但如何提高其固含量是一个亟待解决的技术难题．