首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   53篇
  免费   3篇
  国内免费   30篇
工业技术   86篇
  2023年   2篇
  2021年   1篇
  2020年   5篇
  2019年   3篇
  2018年   3篇
  2015年   3篇
  2014年   3篇
  2013年   3篇
  2012年   5篇
  2011年   6篇
  2010年   6篇
  2009年   3篇
  2008年   4篇
  2007年   14篇
  2006年   3篇
  2005年   9篇
  2004年   4篇
  2003年   4篇
  2002年   3篇
  2001年   2篇
排序方式: 共有86条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂CdS晶体,对掺杂和未掺杂的CdS晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对CdS晶体光学及电学性能的影响.生长时用KCl进行掺杂.显微观察显示,掺杂KCl后CdS晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中.红外光谱透过率发现掺杂K元素的CdS晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5~ 10 μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15%.另外,K元素掺杂CdS晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/ (V·s)下降为146 cm2/ (V·s).  相似文献   
2.
研究了SiC上AlN晶须的气相生长技术。通过对生长温度和压力的调控,获得了六方柱状、台梯状和条带状三种形貌的AlN晶须。柱状晶须长度可达35 mm,直径1μm左右。通过扫描电镜和XRD分析,探讨了AlN晶须形态、结晶取向和生长条件之间的关系。低温、低压、较高饱和度条件下,AlN晶须沿[0001]方向生长,发育为六方细柱。随着生长温度提高,AlN晶须的优先生长面转向{11-02}面,形貌变为笔直的台梯状。继续增加压力,{101-0}面成为优先生长面,晶须呈现卷曲的条带状。  相似文献   
3.
目前在实施分切打叶时主要存在3个问题,即传统的铺叶切断设备无法满足分切打叶工艺精确控制烟叶分切比例的要求,以及如何提高叶基烟叶的打叶效率与非叶基烟叶的风分效率.为此,对目前国内使用的分切打叶工艺与设备进行了研究,确定在分切打叶中使用烟叶智能定位装置控制烟叶的分切比例,采用吹式打叶技术提高叶基烟叶的打叶效率,采用分流式风分技术提高非叶基烟叶的风分效率.试验结果表明,分切打叶工艺设备与传统全叶打叶机组相比,以中部烟为例,出片率提升0.42%,大中片率提升2%左右,碎片率降低0.4%,有助于烟叶的充分利用和纯化烟叶品质.  相似文献   
4.
进入到新世纪以后,我国的社会主义经济建设已经发展到了一个新的阶段,因此我国的各行各业都得到了非常快速的发展,同样我国的食品行业也有着非常迅猛的发展速度。长久以来,罐头食品一直都是我国军用食品的重要组成部分,其具备严格的杀菌程序以及良好的密封性能,所以能够满足军用食品长时间储存的需求。作为食品加工中的核心技术,杀菌技术能够真正的保证罐头食品在存储的过程中不被细菌以及病虫等损害,并且随着我国科学技术水平的不断进步,近些年来我国罐头食品的杀菌技术也取得了全新的进展。文章便对罐头食品中的热杀菌技术、罐头食品中的冷杀菌技术以及罐头食品中的栅栏杀菌技术三个方面的内容进行了详细的分析和探析,从而详细的论述了我国罐头食品行业中的杀菌技术。  相似文献   
5.
本文通过对钻井公司人力资源的主要存在的问题进行分析,提出提升人力资源管理人员的专业素质,做好人才培训工作,增强工作的计划性,建立科学的绩效管理制度和激发个人潜力的发展对策,从而提高企业的人力资源管理水平,促进企业发展。  相似文献   
6.
采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1~10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.  相似文献   
7.
采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流Ic与VCE的关系表达式,讨论了负阻与器件结构和参数的关系.使用PSPICE模拟软件建立电路网表模型,代入推导出的IC-VCE公式进行模拟,模拟结果与器件的测量结果十分接近.  相似文献   
8.
反相微乳液法制备高溶度ZrO2陶瓷墨水(Ⅱ)   总被引:10,自引:0,他引:10  
对喷墨打印成型用ZrO2陶瓷墨水的反相微乳液制备法进行了研究.采用已经优化的Triton x-100/正己醇/环己烷/水反相微乳液体系, 以氧氯化锆溶液和氨水溶液分别替代水, 获得了澄清的微乳液, 再将它们均匀混合反应制得了均匀分散、微粒尺寸7~8 nm、稳定存在的ZrO2陶瓷墨水.针对喷射打印墨水的理化性能要求, 考察了所制备的ZrO2陶瓷墨水的理化性能(流变性能、表面张力、电导率、稳定性等), 并对性能改善进行了探讨.所制两个陶瓷墨水当pH<8时, 电导率分别为20 mS/m和35 mS/m, 表面张力分别为21.6 mN/m和34.3 mN/m左右, 粘度为25 mPa*s和32 mPa*s, 且无剪切增稠效应.这些结果说明所制陶瓷墨水的性能指标基本满足非连续式打印机要求.从透光率测试结果表明所制陶瓷墨水属反相微乳液.  相似文献   
9.
反相微乳液法制备高溶度ZrO2陶瓷墨水(Ⅰ)   总被引:7,自引:0,他引:7  
尝试采用新颖的反相微乳液法制备陶瓷墨水,为了获得高溶度陶瓷墨水,对反相微乳液体系优选进行研究,着重就Triton x-100/醇/烷/水体系,采用目测法,分光光度法,电导率法和离心分离法,分别考察了不同醇,烷配伍时体系的稳定性和相关物理性质,根据这些性质是否突变以确定体系是否发生相变,给出了体系拟三元相图。实验表明,在20℃时Triton x-100/正己醇/环己烷/水反相微乳液体系表现优异,当Triton x-100与正醇的质量比为3:2时达到最大范围的反相微乳液区,最大溶水量时的最佳组成为Triton x-100:正己醇:环己烷:水=19.1%:12.8%:23.7%:44.4%(质量比)。  相似文献   
10.
依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号