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81.
82.
在1500℃、 1600℃、 1650℃和1750℃氩气中保温3h, 使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展, 分别在熔层表面获得SiC颗粒层、 SiC颗粒与晶须混合层、 SiC晶须层和SiC腾空薄膜。XRD分析确定所有产物均为3C-SiC; TEM和SAED分析表明, SiC晶须为3C-SiC单晶, 生长方向为[111]。基于上述结果, 提出不同温度下C与熔体中的Si经不同反应路径, 生成不同形貌SiC的反应机理: 低温时(≤1500℃), Fe提高了熔体中C的饱和溶解度, 以液-固(LS)反应生成SiC颗粒; 较高温度时(1500~1750℃), 借助Fe的催化作用, 以气-液-固(VLS)机理生成SiC晶须; 更高温度时(≥1750℃), 气-液-固(VLS)变得无序, 生成SiC腾空连续膜。 相似文献
83.
卷绕式磁控溅射镀膜机张力控制系统分析与优化 总被引:2,自引:2,他引:0
为避免卷绕式磁控溅射镀膜过程中张力引起的薄膜缺陷,以及原有张力系统响应速度慢、稳定性差等不足,对张力系统进行了分析与优化。通过分析确定了影响张力的关键因素是收(放) 卷的速度和卷径变化,建立了张力系统动力学模型,采用simulink 对张力控制系统进行仿真分析,利用实验验证的方法,分别在原设备和改造后的设备上制备Al2 O3 薄膜,并对比其SEM 图像。改造后的系统可在0. 65 s 内实现薄膜张力实时调整,而原系统需要8 s。改造后的系统能够保证镀制过程中的张力恒定,膜层致密均匀、卷材层间无空隙和皱纹。 相似文献
84.
PP基材表面磁控共溅射制备新型阻隔薄膜的研究 总被引:9,自引:1,他引:8
目的为了解决传统陶瓷阻隔薄膜的裂纹问题。方法采用射频磁控共溅射的方法在基底PP表面制备Ti Nx/CFy薄膜,并通过改变输入PTFE与Ti靶的射频功率比大小控制Ti Nx相与CFy相的体积分数,利用RBS与FTIR表征复合薄膜化学元素组成与结构,并根据各原子数分数结果计算出复合薄膜中Ti Nx的体积分数,建立该值与薄膜的透氧率、透湿率之间的关系。结果 Ti Nx相与CFy相的体积分数及薄膜的细部结构直接影响薄膜的透氧率与透湿率,同时也影响薄膜的柔韧性能。结论 Ti Nx相的体积分数为0.28时,复合薄膜的柔韧性能及阻隔性能最好。 相似文献
85.
基于东张水库2010年水质理化指标及藻类分类监测数据,运用SPSS15.0软件探讨各项指标全年时空变化及相互间的相关性。表明水库浮游植物生物量在夏季出现浮峰值,水库进口断面生物量最高,蓝藻门是水体中的优势浮游植物,其种属组成会随时间发生变化;透明度和pH值能够很好地反映浮游植物生物量的变化,化学需氧量和总磷浓度是影响浮游植物生物量的重要因素。 相似文献
86.
采用辉光弧光协同共放电混合镀方法在A3碳钢基体上沉积氮化钛薄膜,通过改变Ar/N2流量比,研究Ar/N2流量比对TiN薄膜结构及硬度的影响。X射线衍射谱图表明制备的TiN有明显的(111)晶面择优取向;Ti2p的X射线光电子谱谱峰拟合分析表明Ti2p1/2峰和Ti2p3/2峰均有双峰出现,可知氮化物中的Ti存在不同的化学状态,整个膜层是由TiN,TiO2,TiNxOy化合物组成的复合体系,Ar/N2流量比影响各成分的含量。对比硬度的变化和组成成分之间的关系发现,膜层硬度随着含TiN量的增多而增大,当Ar/N2流量比为3∶1时,硬度最大。 相似文献
87.
随着我国全业务运营时代的到来,我国通信行业所面临的竞争也越来越激烈,因此,如何全面了解全业务运营时代下网络技术及其发展情况对各大运营商而言均具有十分重要的意义,因此,文章就全业务运营时代下网络技术及其发展情况进行了分析,就如何确保网络技术满足全业务运营时代的需要进行了研究,并对各网络技术的特点及其发展情况进行了探讨。 相似文献
88.
食品安全问题关乎人民健康和国计民生,历来是社会普遍关注的重大问题。本文通过震惊全国的"三鹿奶粉事件",对目前我国食品安全管理中存在问题进行剖析,并提出相应的可行性对策,以期提高人们对食品安全的重视,减少相关食品安全事故的发生。 相似文献
89.
90.
实验表明测定总氮所用的消解剂K2S2O8在波长220nm处有很强的吸收峰,如果其在消解过程中不能完全分解,就会对比色测定严重干扰.通过对不同的消解方式,消解时间、温度等条件的研究,得到消除K2S2O8干扰的条件。 相似文献