高铝氧电瓷瓷质显微结构形成机理

本文运用热力学分析原理(物质自由焓函数法和相图分析)探讨了高铝氧电瓷在烧成过程中的晶相形成机理。通过对高铝氧电瓷烧成过程中各温度点试样的X-射线定量分析和偏光显微镜岩相分析的实验结果表明:其结果与热力学分析的结论相一致。利用I_(A·M)=W_(A·M)I_(A·A)关系式和叠加原理进一步研究了原料对瓷坯晶相形成的影响,并结合对瓷坯在烧成过程中性能的测定,探讨了高铝氧电瓷的致密化过程。     

矾土-长石-粘土系铝质电瓷击穿机理的研究

本文通过前解剖铝质电瓷的击穿通,用扫描电镜,能谱和电子探针观察分析了通道的形貌及杂质分布,从微观结构上探讨了BFC系铝质电瓷的击穿机理。发现瓷坯中杂质富集气孔和裂纹是BFC系电瓷的主要击穿源,并可通过原料处理和烧成等工艺措施来改善其介电性能,提高电气强度。     

陶瓷材料断裂机理的研究

本文采用扫描电子显微镜和电子探针相结合的方法研究了高铝氧陶瓷材料的断裂源和断裂形貌,并探明了这些断裂源的成因。     

热解前驱体制备AlN粉末

以硝酸铝、尿素、蔗糖为原料低分解得到均匀分散的前驱身粉末,对前驱体粉末的碳热的过程研究表明：不存在γ－ＡＩ２Ｏ３→α－ＡＩ２Ｏ３晶型转变,因而ＡＩＮ粉末的合成温度降低合成的ＡＩＮ粉末粒径约８０～１２０ｎｍ,比表面积１９．２ｍ＾２／ｇ,脱碳后的ＡＩＮ粉末氮的质量分数为３２．３％,氧的质量分数为２．１％,碳的质量分数为０．２％。     

纳米Si3N4-SiC(Y2O3)复合粉末的氨解溶胶-凝胶法合成

以硅溶胶、尿素和碳黑为原料,经氨解溶胶－凝胶、碳热还原法合成了纳米Ｓｉ３ｎ４－ＳｉＣ复合粉末。通过在硅溶胶中引入Ｙ（ＮＯ３）３,合成了Ｓｉ３ｎ４－ＳｉＣ－Ｙ２Ｏ３超细复合粉末,Ｙ２Ｏ３的加入有助于降低Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ的合成温度。采用ＸＰＳ和ＸＲＤ分析复合粉末中Ｙ的存在状态表明：一部分Ｙ固溶在Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ中,加有一部分以Ｙ２Ｏ３形式存在,Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ－Ｙ２Ｏ３复合粉末的烧结性能良好。